Выпуски

 / 

1961

 / 

Январь

  

Обзоры актуальных проблем


Влияние дислокаций на электрические свойства полупроводников

Содержание: Дислокации в кубической решетке, типа алмаза. Способы создания дислокаций. Дислокации, создаваемые в процессе роста монокристаллов. Дислокации, возникающие при изгибе. Дислокации, возникающие при кручении. Дислокации, возникающие при сжатии и вдавливании. Дислокации, возникающие при растяжении. Дислокации в антимониде индия. Примесные атмосферы около дислокаций. Энергетические уровни электронов, связанные с дислокациями. Случай отсутствия пространственного заряда вокруг дислокации. Роль пространственного заряда вокруг дислокации. Электрические эффекты, связанные с дислокациями. Акцепторные центры, связанные с дислокациями. Отжигаемые акцепторные центры, возникающие при деформации. Влияние дислокаций на время жизни неосновных носителей тока. Естественные дислокации. Доказательства существования примесных атмосфер. Процессы рекомбинации на дислокациях. Шумы, связанные с дислокациями. Анизотропные эффекты. Различные границы. Границы зерен с малым углом относительного поворота. Границы зерен со средним углом относительного поворота. Границы зерен с большими углами относительного поворота.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
DOI: 10.3367/UFNr.0073.196101d.0121
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1961/1/d/
Цитата: Бардсли У "Влияние дислокаций на электрические свойства полупроводников" УФН 73 121–167 (1961)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение