Содержание: Дислокации в кубической решетке, типа алмаза. Способы создания дислокаций. Дислокации, создаваемые в процессе роста монокристаллов. Дислокации, возникающие при изгибе. Дислокации, возникающие при кручении. Дислокации, возникающие при сжатии и вдавливании. Дислокации, возникающие при растяжении. Дислокации в антимониде индия. Примесные атмосферы около дислокаций. Энергетические уровни электронов, связанные с дислокациями. Случай отсутствия пространственного заряда вокруг дислокации. Роль пространственного заряда вокруг дислокации. Электрические эффекты, связанные с дислокациями. Акцепторные центры, связанные с дислокациями. Отжигаемые акцепторные центры, возникающие при деформации. Влияние дислокаций на время жизни неосновных носителей тока. Естественные дислокации. Доказательства существования примесных атмосфер. Процессы рекомбинации на дислокациях. Шумы, связанные с дислокациями. Анизотропные эффекты. Различные границы. Границы зерен с малым углом относительного поворота. Границы зерен со средним углом относительного поворота. Границы зерен с большими углами относительного поворота.

PT Journal Article
TI Влияние дислокаций на электрические свойства полупроводников
AU Бардсли У
FAU Бардсли У
DP 10 Jan, 1961
TA Усп. физ. наук
VI 73
IP 1
PG 121-167
RX 10.3367/UFNr.0073.196101d.0121
URL https://ufn.ru/ru/articles/1961/1/d/
SO Усп. физ. наук 1961 Jan 10;73(1):121-167