Содержание: Дислокации в кубической решетке, типа алмаза. Способы создания дислокаций. Дислокации, создаваемые в процессе роста монокристаллов. Дислокации, возникающие при изгибе. Дислокации, возникающие при кручении. Дислокации, возникающие при сжатии и вдавливании. Дислокации, возникающие при растяжении. Дислокации в антимониде индия. Примесные атмосферы около дислокаций. Энергетические уровни электронов, связанные с дислокациями. Случай отсутствия пространственного заряда вокруг дислокации. Роль пространственного заряда вокруг дислокации. Электрические эффекты, связанные с дислокациями. Акцепторные центры, связанные с дислокациями. Отжигаемые акцепторные центры, возникающие при деформации. Влияние дислокаций на время жизни неосновных носителей тока. Естественные дислокации. Доказательства существования примесных атмосфер. Процессы рекомбинации на дислокациях. Шумы, связанные с дислокациями. Анизотропные эффекты. Различные границы. Границы зерен с малым углом относительного поворота. Границы зерен со средним углом относительного поворота. Границы зерен с большими углами относительного поворота.

RT Journal
T1 Влияние дислокаций на электрические свойства полупроводников
A1 Бардсли,У.
PB Успехи физических наук
PY 1961
FD 10 Jan, 1961
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 73
IS 1
SP 121-167
DO 10.3367/UFNr.0073.196101d.0121
LK https://ufn.ru/ru/articles/1961/1/d/