Cтатьи, принятые к публикации

Обзоры актуальных проблем


Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

В обзоре представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований экситонных эффектов в мономолекулярных слоях дихалькогенидов переходных металлов. В этих двумерных полупроводниках прямая запрещенная зона шириной порядка 2 эВ реализуется на границах зоны Бриллюэна, а энергии связи нейтральных и заряженных экситонов составляют сотни и десятки миллиэлектронвольт соответственно. Таким образом оптические свойства монослоев дихалькогенидов переходных металлов контролируются электрон-дырочными кулоновскими комплексами. В обзоре обсуждаются детали зонной структуры, необходимые для понимания экситонных эффектов в этих материалах, строение и тонкая структура экситонов и трионов, особенности спиновой и долинной динамики кулоновских комплексов, а также проявления нейтральных и заряженных экситонов в линейных и нелинейных оптических эффектах.

Ключевые слова: монослои дихалькогенидов переходных металлов, кулоновское взаимодействие, обменное взаимодействие, экситон, трион, спиновая динамка, долинная динамика, оптическая ориентация, двухфотонное поглощение, генерация второй гармоники, эффект Зеемана
DOI: 10.3367/UFNr.2017.07.038172
Цитата: Дурнев М В, Глазов М М "Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов" УФН, принята к публикации

Поступила: 4 июля 2017, доработана: 14 июля 2017, 14 июля 2017

English citation: Durnev M V, Glazov M M “Excitons and trions in two-dimensional semiconductors based on transition metal dichalcogenidesPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2017.07.038172

© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение