Выпуски

 / 

2017

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Солнечные преобразователи третьего поколенияна основе Cu-In-Ga-(S, Se)

,
Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

Представлен обзор литературных данных по тонкоплёночным солнечным элементам с поглощающими слоями на основе четверных соединений меди типа Cu-In-Ga-(S,Se) (CIGS). Рассмотрены способы приготовления поглощающих слоёв CIGS, химический состав, особенности конструкции и принципы функционирования солнечных элементов на основе CIGS. Публикации последних лет в совокупности свидетельствуют о наметившихся изменениях в характере исследований: важные результаты были получены благодаря численному моделированию процессов в тонкоплёночных солнечных элементах, активизировались исследования роли градиентов концентрации элементов в структуре CIGS и неоднородного пространственного распределения ширины запрещённой зоны, роли границ между зёрнами слоёв, а также кинетические исследования.

Текст: pdf (697 Кб)
Ключевые слова: фотовольтаика, тонкие плёнки, солнечные элементы, халькопириты, CIGS
PACS: 81.05.Hd, 84.60.Jt, 88.40.fc, 88.40.jn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2016.06.037827
URL: http://ufn.ru/ru/articles/2017/2/c/
Цитата: Новиков Г Ф, Гапанович М В "Солнечные преобразователи третьего поколенияна основе Cu-In-Ga-(S, Se)" УФН 187 173–191 (2017)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 23 марта 2016, доработана: 3 июня 2016, 9 июня 2016

English citation: Novikov G F, Gapanovich M V “Third generation Cu-In-Ga-(S,-Se) based solar invertersPhys. Usp. 60 (2) (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2016.06.037827

© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение