Выпуски

 / 

1999

 / 

Апрель

  

Конференции и симпозиумы


Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами

 а,  а,  а,  б,  в, г, д,  в,  в,  в,  в
а Санкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Донбасская государственная машиностроительная академия, ул. Шкадилова 76, Краматорск, 343913, Украина
в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
г Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
д Vertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (485 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904g.0459
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/
000080487700007
Цитата: Воробьев Л Е, Фирсов Д А, Шалыгин В А, Тулупенко В Н, Леденцов Н Н, Копьев П С, Устинов В М, Шерняков Ю М, Алферов Ж И "Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами" УФН 169 459–464 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells
AU Vorob’ev L E
FAU Vorob’ev LE
AU Firsov D A
FAU Firsov DA
AU Shalygin V A
FAU Shalygin VA
AU Tulupenko V N
FAU Tulupenko VN
AU Ledentsov N N
FAU Ledentsov NN
AU Kop’ev P S
FAU Kop’ev PS
AU Ustinov V M
FAU Ustinov VM
AU Shernyakov Yu M
FAU Shernyakov YM
AU Alferov Zh I
FAU Alferov ZI
DP 10 Apr, 1999
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 169
IP 4
PG 459-464
RX 10.3367/UFNr.0169.199904g.0459
URL https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/
SO Usp. Fiz. Nauk 1999 Apr 10;169(4):459-464

English citation: Vorob’ev L E, Firsov D A, Shalygin V A, Tulupenko V N, Ledentsov N N, Kop’ev P S, Ustinov V M, Shernyakov Yu M, Alferov Zh I “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wellsPhys. Usp. 42 391–396 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение