Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов

В.А. Крупенин^а, С.В. Лотхов^а, Х. Шерер^б, А.Б. Зорин^б, Ф.Й. Алерс^б, Й. Нимайер^б, Х. Вольф^б
^аМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^бPhysikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (592 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365

PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
Web of Science

000072729300028
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Шерер Х, Зорин А Б, Алерс Ф Й, Нимайер Й, Вольф Х "Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов" УФН 168 219–222 (1998)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов
AU Крупенин, В. А.
AU Лотхов, С. В.
AU Шерер, Х.
AU Зорин, А. Б.
AU Алерс, Ф. Й.
AU Нимайер, Й.
AU Вольф, Х.
PB Успехи физических наук
PY 1998
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 168
IS 2
SP 219-222
UR https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Scherer H, Zorin A B, Ahlers F-J, Niemeyer J, Wolf H “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors” Phys. Usp. 41 204–206 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365