Выпуски

 / 

1985

 / 

Июль

  

Совещания и конференции


Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления

 а,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

30 и 31 января 1985 г. в Физическом институте им. П. Н. Лебедева АН СССР состоялась совместная научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики АН СССР. На сессии были заслушаны доклады:

30 января
1. С. М. А п е н к о, Ю. Е. Л о з о в и к, В. М. Ф а р з т д и н о в. Двумерный электронный газ в сильных магнитных полях и квантованный эффект Холла.
2. Ю. А. Б ы ч к о в, Э. И. Р а ш б а. Спектр двумерного электронного газа в инверсионных слоях.
3. В. М. П у д а л о в , С. Г. С е м е н ч и н с к и й . Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления.
4. В. С. П у д а л о в, С. Г. С е м е н ч и н с к и й, В. С. Э д е л ь м а н. Заряд и потенциал инверсионного слоя МДП-структуры в квантующем магнитном поле.

31 января
5. А. И. Б у р ш т е й н. Коллапс и сужение спектров при конденсации газов.
6. А. В. З а л е с с к и й . Доменные стенки в магнетиках по данным ЯМР спектроскопии.
Краткое содержание пяти докладов приводится ниже.

Текст pdf (304 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1985v028n07ABEH003876
PACS: 72.20.My, 73.40.Qv, 73.43.Fj (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0146.198507g.0534
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/7/g/
Цитата: Пудалов В М, Семенчинский С Г "Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления" УФН 146 534–536 (1985)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Galvanomagnetic properties of a 2D electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistance
AU Pudalov, V. M.
AU Semenchinskii, S. G.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1985
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 146
IS 7
SP 534-536
UR https://ufn.ru/ru/articles/1985/7/g/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0146.198507g.0534

English citation: Pudalov V M, Semenchinskii S G “Galvanomagnetic properties of a 2D electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistanceSov. Phys. Usp. 28 634–635 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n07ABEH003876

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение