Рассмотрен новый тип безызлучательных переходов в неметаллических твердых телах, сопровождаемых не выделением тепла, а большими (по сравнению с межатомными расстояниями) смещениями отдельных атомов. Дана классификация таких нестабильностей в кристаллах и стеклах (электростатических, электронно-колебательных, структурных), ведущих к рождению дефектов. Описаны процессы дефектообразования как в ионных кристаллах при распаде автолокализующихся экситонов, так и в полупроводниках при многократной ионизации атомов вблизи исходно существующих заряженных центров примесей. Обсуждены механизмы перестройки сложных дефектов в полупроводниках при введении неравновесных носителей тока и при рекомбинации электронов и дырок. Рассмотрена роль носителей тока при тепловом создании дефектов. Обсужден механизм образования своеобразных дефектов в стеклообразных полупроводниках. Ил. 19. Библиогр. ссылок 212 (216 назв.).

TY JOUR
TI Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений
AU Клингер, М. И.
AU Лущик, Ч. Б.
AU Машовец, Т. В.
AU Холодарь, Г. А.
AU Шейнкман, М. К.
AU Эланго, М. А.
PB Успехи физических наук
PY 1985
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 147
IS 11
SP 523-558
UR https://ufn.ru/ru/articles/1985/11/d/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0147.198511d.0523