Выпуски

 / 

1981

 / 

Март

  

Обзоры актуальных проблем


Краевая люминесценция прямозонных полупроводников

,  а
а Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена 106, Екатеринбург, 620016, Российская Федерация

Введение. Люминесценция слабо легированных полупроводников. Вероятности спонтанных излучательных переходов. Экситонная люминесценция. Межзонная излучательная рекомбинация. Примесная излучательная рекомбинация. Межпримесная (донорно- акцепторная) рекомбинация. О роли различных каналов излучательной рекомбинации. Люминесценция сильно легированных полупроводников. Энергетический спектр СЛП. Основные каналы излучательной рекомбинации. «Межзонная» излучательная рекомбинация в СЛП. Примесная излучательная рекомбинация в СЛП. Межпримесная излучательная рекомбинация в СЛП. Краевая люминесценция сильно компенсированных СЛП (СЛКП). Переходные характеристики люминесценции. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (3,5 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n03ABEH004770
PACS: 78.55.Hx, 78.60.Fi, 71.55.Ht, 71.25.Tn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0133.198103b.0427
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/3/b/
Цитата: Леванюк А П, Осипов В В "Краевая люминесценция прямозонных полупроводников" УФН 133 427–477 (1981)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Краевая люминесценция прямозонных полупроводников
A1 Леванюк,А.П.
A1 Осипов,В.В.
PB Успехи физических наук
PY 1981
FD 10 Mar, 1981
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 133
IS 3
SP 427-477
DO 10.3367/UFNr.0133.198103b.0427
LK https://ufn.ru/ru/articles/1981/3/b/

English citation: Levanyuk A P, Osipov V V “Edge luminescence of direct-gap semiconductorsSov. Phys. Usp. 24 187–215 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n03ABEH004770

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение