Излучательная рекомбинация в полупроводниках

В настоящем обзоре излагаются основные теоретические представления об излучательной рекомбинации в полупроводниках и экспериментальные результаты, полученные до конца 1958 г.

Текст pdf (1007 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 72.20.Jv, 72.80.Cw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0068.195906b.0247
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1959/6/b/
Цитата: Вавилов В С "Излучательная рекомбинация в полупроводниках" УФН 68 247–260 (1959)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Radiative recombination in semiconductors
AU Vavilov, V. S.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1959
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 68
IS 6
SP 247-260
UR https://ufn.ru/ru/articles/1959/6/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0068.195906b.0247

English citation: Vavilov V S “Radiative recombination in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 2 455–464 (1959); DOI: 10.1070/PU1959v002n03ABEH003138