Статьи
- В.А. Крупенин, С.В. Лотхов, Х. Шерер и др. «Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов» УФН 168 219–222 (1998)
- Д. Бимберг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (29 января 1997 г.)» УФН 167 552 (1997)
- В.А. Крупенин, С.В. Лотхов, Ю.А. Пашкин, Д.Е. Преснов «Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах» УФН 167 566–568 (1997)
- Д.Е. Преснов, В.А. Крупенин, С.В. Лотхов «Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты» УФН 166 906–907 (1996)
|
См. также:
С.В. Лотхов,
Д.Е. Преснов,
Ю.А. Пашкин,
Ю.В. Копаев,
П.С. Копьев,
В.Л. Гинзбург,
Н.Н. Леденцов,
В.Д. Кулаковский,
Д. Бимберг,
И.В. Кукушкин,
В.В. Капаев,
Н.А. Гиппиус,
Ю.А. Изюмов,
С.Г. Тиходеев,
И.П. Ипатова
PACS: 73.40.Rw, 73.40.-c, 74.80.Fp, 01.10.Fv, 73.40.Gk, 71.27.+a
|