Выпуск 10, 2024

Подписчикам

Для авторов

Хироши Амано

Nagoya University
Адрес: Nagoya, Japan
Телефон: +81 (052) 741 21 11
Вебсайт: www.nagoya-u.ac.jp

Статьи

Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком» УФН 186 518–523 (2016)

PACS: 42.72.Bj, 81.10.-h, 85.60.Dw

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение