RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Cтатьи, принятые к публикации
Приборы и методы исследований


Электронно-лучевая инспекция полупроводниковых пластин

 а,  а, б,  а, б
а АО Нанотроника, Панфиловский просп. 10, помещ. 571, Москва, Зеленоград, 124460, Российская Федерация
б Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина, ул. Гагарина 59/1, Рязань, 390005, Российская Федерация

Приведен обзор технических средств инспекции дефектов, образующихся при постановке технологий и производстве современных интегральных схем. Продемонстрированы причины перехода от оптических методов диагностики к электронно-оптической инспекции. Представлена краткая методика работы инспекционных установок, дано описание ключевых компонентов, рассмотрены основные элементы электронно-оптической колонны инспекционных установок и их влияние на конечные технические характеристики установок. Рассмотрены аспекты модернизации электронно-оптической системы растрового электронного микроскопа для нужд инспекции дефектов интегральных схем.

Ключевые слова: микроэлектроника, инспекция интегральных схем, растровая электронная микроскопия, пучки заряженных частиц
PACS: 07.78.+s, 07.50.−e (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2026.09.040192
Цитата: Андрианов С Л, Грачев Е Ю, Трубицын А А "Электронно-лучевая инспекция полупроводниковых пластин" УФН, принята к публикации

поступила: 19 мая 2026, доработана: 8 сентября 2026, 14 сентября 2026

English citation: Andrianov S L, Grachev E Yu, Trubitsyn A A “Electron beam inspection of semiconductor wafers” Phys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2026.09.040192

Список литературы (65) ↓ Похожие статьи (10)

  1. Riddera V
  2. Ma Z, Seiler D Metrology and Diagnostic Techniques for Nanoelectronics (Singapore: Pan Stanford Publ., 2017)
  3. Bezel I Conf. on Lasers and Electro-Optics (San Jose: IEEE, 2015) p. 1--24
  4. Haley G "E-Beam Inspection Proves Essential For Advanced Nodes" Semiconductor engineering
  5. Shiozaki A, Watanabe M, Kuwabara M Hitachi Review 52 (3) 147 (2003)
  6. Шнекенбургер Х Квантовая электроника 1 50 (2020)
  7. Oberai A, YuanSmart J Electronics 6 (4) 87 (2017)
  8. Marbach S Opt. Photon. Adv. Dimens. Metrology
  9. Childres I Proc. SPIE 8031 803122 (2011)
  10. Raplee J Sci. Rep. 7 43554 (2017)
  11. Cai N Proc. SPIE 9778 977834 (2016)
  12. Kanzler D Kanzler D, M ddot {rm u} ller C, Pitk ddot {rm a} nen J "Probability of defect detection of Posiva's electron beam weld", WR 2013-70 (Berlin: Posiva Oy, 2013)
  13. Patterson O 2012 SEMI ASMC (New York: Saratoga Springs, 2012) p. 383
  14. Воробьева А И УФН 180 265 (2010); Vorob'eva A I Phys. Usp. 53 257 (2010)
  15. LP Proc. of the Annual SEMI ASMC (New York: Saratoga Springs, 2017) p. 256--261
  16. Hafer R Proc. of the Annual SEMI ASMC (New York: Saratoga Springs, 2017) p. 461--468
  17. Liao H Proc. of the e-Manufacturing & Design Collaboration Symp. (Taiwan: Hsinchu, 2014) p. 1--3
  18. Zhou X Proc. of the Annual SEMI ASMC (New York: Saratoga Springs, 2017) p. 234--239
  19. Apedus M "Speeding Up E-beam Inspection" Semiconductor engineering
  20. Cooray A R Soc. Open Sci. 3 150555 (2016)
  21. Lam D Proc. SPIE
  22. Kaestner M Proc. SPIE 8680 868019 (2013)
  23. Bunday B Proc. SPIE
  24. Xiao H Proc. SPIE
  25. Hayashi H Proc. SPIE 5752 997 (2005)
  26. Cass T Microelectron. Eng. 30 (1--4) 567 (1996)
  27. Newell T 27th Annual SEMI ASMC (New York: Saratoga Springs, 2016) p. 151
  28. Meisburger W D, Brodie A D, Desai A A J. Vac. Sci. Technol. 10 (6) 2804 (1992)
  29. Dhruv V J. Micro/Nanolithography, MEMS, MOEMS 19 (2) 024801 (2020)
  30. Nozoe M, Nishiyama H Proc. SPIE 3998 599 (2000)
  31. Oya M Proc. SPIE 13426 1342626 (2025)
  32. Kim Y C Ultramicroscopy 111 (12) 1645 (2011)
  33. Hafer R F 22th Annual SEMI ASMC (New York: Saratoga Springs, 2014) p. 397
  34. Eberle A Microscopy Today 23 (2) 12 (2015)
  35. Mohammadi-Gheidari A, Kruit P Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. 645 60 (2011)
  36. Ishimoto T Ishimoto T "Hitachi High-Tech Develops the Electron Beam Area Inspection System GS1000 to Meet Increased Demand for Inspection and Massive-Metrology in EUV Applications" (Tokyo: Hitachi High-Tech Corp., 2021)
  37. Ma E Proc. SPIE 10585 35 (2018)
  38. Чхало Н И Микроэлектроника 53 (5) 375 (2024)
  39. Trubitsyn A A Proc. ISI-2025 247 (2025)
  40. Trubitsyn A A
  41. Khursheed A Scanning Electron Microscopy (Singapore: Elsevier, 2022)
  42. Kazmiruk V V J. Surf. Investig. 11 404 (2017)
  43. Aristov V V Sem. Scanning 13 15 (1991)
  44. Reimer L Scanning Electron Microscopy (New York: Springer Series in Optical Sciences, 1985)
  45. Рау Э И, Зайцев С В УФН 195 425 (2025); Rau E I, Zaitsev S V Phys. Usp. 68 401 (2025)
  46. GoldsteJ Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis (2003)
  47. Nozoe M, Nishiyama H Proc. SPIE 3998 599 (2000)
  48. Broers A N Proc. 7th SEM Symp. 9--18
  49. Crewe A V Rev. Sci. Instrum. 39 576 (1968)
  50. Батраков А В Эмиссионная электроника (Томск: Изд-во Томского политехнического ун-та, 2008)
  51. Nakahara e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 9 400 (2011)
  52. Chen K Nature Mater. 24 1773 (2025)
  53. Fuks F 616749 (2018)
  54. Tuggle D W, Swanson L W J. Vacuum Sci. Technol. 3 220 (1985)
  55. Langmuir D B Proc. IRE 25 877 (1937)
  56. Ляпин А Электроника наука технология бизнес 5 (00145) 142 (2015)
  57. Хокс П Электронная оптика и электронная микроскопия (М.: Мир, 1974) с. 49
  58. Williams D B, Carter C B Transmission Electron Microscopy (New York: Springer, 2009)
  59. Hawkes P W, Spence J C Handbook of Microscopy (New York: Springer, 2019)
  60. Horisaki R
  61. Yasuhara A
  62. Силадьи М Электронная и ионная оптика (М.: Мир, 1990)
  63. Patterson O D 36th Annual SEMI ASMC (New York: Saratoga Springs, 2025) p. 1--5
  64. Malac M Micron. 163 103362 (2022)
  65. Christopher F B Christopher F B "Autofocusing and Astigmatism Correction in the Scanning Electron Microscope", Dissertation for the degree Master of Philosophy in Electrical Engineering (Cambridge: Univ. of Cambridge, 2000)
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение