С.Л. Андрианова,
Е.Ю. Грачева,б,
А.А. Трубицына,б аАО Нанотроника, Панфиловский просп. 10, помещ. 571, Москва, Зеленоград, 124460, Российская Федерация бРязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина, ул. Гагарина 59/1, Рязань, 390005, Российская Федерация
Приведен обзор технических средств инспекции дефектов, образующихся при постановке технологий и производстве современных интегральных схем. Продемонстрированы причины перехода от оптических методов диагностики к электронно-оптической инспекции. Представлена краткая методика работы инспекционных установок, дано описание ключевых компонентов, рассмотрены основные элементы электронно-оптической колонны инспекционных установок и их влияние на конечные технические характеристики установок. Рассмотрены аспекты модернизации электронно-оптической системы растрового электронного микроскопа для нужд инспекции дефектов интегральных схем.
Ключевые слова: микроэлектроника, инспекция интегральных схем, растровая электронная микроскопия, пучки заряженных частиц PACS:07.78.+s, 07.50.−e () DOI: Цитата: Андрианов С Л, Грачев Е Ю, Трубицын А А "Электронно-лучевая инспекция полупроводниковых пластин" УФН, принята к публикации
поступила: 19 мая 2026, доработана: 8 сентября 2026, одобрена в печать: 14 сентября 2026