Cтатьи, принятые к публикации

Приборы и методы исследований


Условия полного поглощения в интерференционных покрытиях типа экран Солсбери

 а,  б
а Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Институтский пер. 9, Долгопрудный, Московская обл., 141701, Российская Федерация
б Институт спектроскопии РАН, ул. Физическая 5, Троицк, Москва, 108840, Российская Федерация

Рассмотрены физические принципы работы интерференционных светопоглощающих структур на примере экрана Солсбери. На основе решения волнового уравнения получены выражения для распределения полей, а также амплитудных и энергетических коэффициентов отражения и поглощения. В рамках обоснованных упрощающих допущений выведены наглядные аналитические условия полного поглощения при нормальном падении волны. Проведен численный анализ условий идеального поглощения. Приведены примеры проектирования тонкопленочных покрытий с использованием спектральных зависимостей оптических констант реальных материалов. Возможность достижения полного поглощения при использовании реальных материалов показана на примере структуры Cr/ZnSe/Al.

Ключевые слова: интерференционные покрытия, светопоглощающие структуры, поглощение, экран Солсбери
DOI: 10.3367/UFNr.2026.04.040125
Цитата: Линкова Т М, Медведев В В "Условия полного поглощения в интерференционных покрытиях типа экран Солсбери" УФН, принята к публикации

Поступила: 11 февраля 2026, доработана: 10 апреля 2026, 20 апреля 2026

English citation: Linkova T M, Medvedev V V “Total absorption conditions for Salisbury-screen interference coatingsPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2026.04.040125

Список литературы (28) ↓ Похожие статьи (4)

  1. Мякишев Г Я, Буховцев Б Б, Чаругин В М Физика 11 класс (М.: Просвещение, 2019) с. 211--212
  2. Сивухин Д В Общий курс физики. Т. IV. Оптика (М.: Физматлит, 2005) с. 441--445
  3. Борн М, Вольф Э Основы оптики (М.: Наука, 1973) с. 66--81
  4. Fante R L, McCormack M T IEEE Trans. Antennas Propag. 36 (10) 1443 (1988)
  5. Emerson W IEEE Trans. Antennas Propag. 21 (4) 484 (1973)
  6. Parsons A D, Pedder D J J. Vac. Sci. Technol. A 6 (3) 1686 (1988)
  7. Monz<$>acute {rm o}<$>n J J, S<$>acute {rm a}<$>nchez-Soto L L Appl. Opt. 33 (22) 5137 (1994)
  8. Razansky D Opt. Express 14 (22) 10426 (2006)
  9. Thompson M P J. Vac. Sci. Technol. A 25 (3) 437 (2007)
  10. Kim J-B, Byun J-H IEEE Trans. Electromagn. Compat. 54 (1) 37 (2011)
  11. Shu S, Li Z, Li Y Y Opt. Express 21 (21) 25307 (2013)
  12. You J-B Opt. Express 22 (7) 8339 (2014)
  13. Jang M S Phys. Rev. B 90 (16) 165409 (2014)
  14. Nath J J. Appl. Phys. 115 (19) 193104 (2014)
  15. Long Y Appl. Phys. Lett. 104 (9) 091105 (2014)
  16. Li Z Sci. Rep. 5 15137 (2015)
  17. MWoo J Appl. Phys. Lett. 104 (8) 081114 (2014)
  18. Serhatlioglu M Opt. Lett. 41 (8) 1724 (2016)
  19. Mirshafieyan S S, Luk T S, Guo J Opt. Mater. Express 6 (4) 1032 (2016)
  20. Fang X, Zhao C Y, Bao H Front. Energy 12 (1) 158 (2018)
  21. Medvedev V V, Novikova N N, Zoethout E Thin Solid Films 751 139232 (2022)
  22. Bauer S Am. J. Phys. 60 (3) 257 (1992)
  23. Schossig M Bio and Nano Packaging Techniques for Electron Devices (Eds G. Gerlach, K-J. Wolter) (Berlin: Springer, 2012) p. 355
  24. Wissmann P, Finzel H-U Springer Tracts in Modern Physics Vol. 223 (Berlin: Springer, 2007)
  25. Raki<$>acute {rm c}<$> A D Appl. Opt. 34 (22) 4755 (1995)
  26. Raki<$>acute {rm c}<$> A D Appl. Opt. 37 (22) 5271 (1998)
  27. Polyanskiy M N Sci. Data 11 (1) 94 (2024)
  28. Amotchkina T Appl. Opt. 40 (2019)

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение