Условия полного поглощения в интерференционных покрытиях типа экран Солсбери
Т.М. Линкова а,
В.В. Медведев б
а Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Институтский пер. 9, Долгопрудный, Московская обл., 141701, Российская Федерация
б Институт спектроскопии РАН, ул. Физическая 5, Троицк, Москва, 108840, Российская Федерация
Рассмотрены физические принципы работы интерференционных светопоглощающих
структур на примере экрана Солсбери. На основе решения волнового уравнения получены выражения для распределения полей, а также амплитудных и энергетических коэффициентов отражения и поглощения. В рамках обоснованных упрощающих допущений выведены наглядные аналитические условия полного поглощения при нормальном падении волны. Проведен численный анализ условий идеального
поглощения. Приведены примеры проектирования тонкопленочных покрытий с использованием спектральных зависимостей оптических констант реальных материалов. Возможность достижения полного поглощения при использовании реальных материалов показана на примере структуры Cr/ZnSe/Al.
|