Cтатьи, принятые к публикации

Методические заметки


Сверхизлучающий квантовый фазовый переход в полупроводнике при комнатной температуре: миф или реальность?


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Рассматриваются условия и механизм возникновения нестационарного сверхизлучающего квантового фазового перехода в объемном полупроводнике при комнатной температуре в режиме сильной связи. Проведен анализ экспериментальных данных и произведено сравнение характерных свойств этого фазового перехода с изученными ранее квантовыми фазовыми переходами в системах ультрахолодных газах в ловушках, в ансамблях квантовых точек, сверхпроводящих кубитах и некоторых других. Продемонстрировано, что все основные свойства обнаруженного ранее коллективного состояния, образованного в процессе индуцированной конденсации электронно-дырочных пар при комнатной температуре, соответствуют картине сверхизлучающего фазового перехода, наблюдавшегося в других средах.

Ключевые слова: фазовый переход, сверхизлучение, сильная связь, фемтосекундные импульсы
PACS: 64.70.Tg, 73.43.Nq, 42.50.Fx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2024.10.039772
Цитата: Васильев П П "Сверхизлучающий квантовый фазовый переход в полупроводнике при комнатной температуре: миф или реальность?" УФН, принята к публикации

Поступила: 7 мая 2024, доработана: 3 октября 2024, 9 октября 2024

English citation: Vasil’ev P P “Superradiant quantum phase transition in a semiconductor at room temperature: myth or reality?Phys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2024.10.039772

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение