Cтатьи, принятые к публикации

Обзоры актуальных проблем


Двумерная система сильновзаимодействующих электронов в кремниевых (100) структурах


Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

Целью обзора является описание и критический анализ работ различных экспериментальных групп, изучавших свойства двумерного электронного газа в кремниевых полупроводниковых системах ((100)Si-MOSFET и (100) SiGe/Si/SiGe квантовых ямах) в окрестности перехода металл-изолятор. Выделены результаты, общие для всех исследователей: ( i ) эффективная масса электронов, измеренная на ферми-уровне, в металлической области возрастает по мере понижения концентрации и, по экстраполяции, имеет тенденцию к расходимости; ( ii ) средняя по энергии масса в металлической области ведет себя в двух исследованных системах по разному: в Si-MOSFET она также обнаруживает тенденцию к расходимости, в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe — насыщается в области минимальных концентраций; ( iii ) в металлической фазе имеется небольшое (зависящее от качества образца) количество локализованных электронов; ( iv ) в фазе изолятора в окрестности перехода металл-изолятор электронная система обнаруживает свойства, типичные для аморфных сред с сильным взаимодействием между составляющими такую среду частицами.

Ключевые слова: двумерные электронные системы, переход металл-изолятор, эффективная масса
DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038449
Цитата: Долгополов В Т "Двумерная система сильновзаимодействующих электронов в кремниевых (100) структурах" УФН, принята к публикации

Поступила: 28 апреля 2018, доработана: 7 октября 2018, 16 октября 2018

English citation: Dolgopolov V T “Two-dimensional system of strongly interacting electrons in silicon (100) structuresPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038449

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение