Целью обзора является описание и критический анализ работ различных экспериментальных групп, изучавших свойства двумерного электронного газа в кремниевых полупроводниковых системах (полевых транзисторах (100)Si-MOSFET и квантовых ямах (100) SiGe/Si/SiGe) в окрестности перехода металл—изолятор. Выделены результаты, общие для всех исследователей: 1) эффективная масса электронов, измеренная на уровне Ферми, в металлической области возрастает по мере понижения концентрации и, по экстраполяции, имеет тенденцию к расходимости; 2) средняя по энергии масса в металлической области ведёт себя в двух исследованных системах по-разному: в Si-MOSFET она также обнаруживает тенденцию к расходимости, в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe — насыщается в области минимальных концентраций; 3) в металлической фазе имеется небольшое (зависящее от качества образца) количество локализованных электронов; 4) в фазе изолятора в окрестности перехода металл—изолятор электронная система обнаруживает свойства, типичные для аморфных сред с сильным взаимодействием между составляющими такую среду частицами.

Ключевые слова: двумерные электронные системы, переход металл—изолятор, эффективная масса PACS: 71.27.+a, 71.30.+h, 73.20.−r (все) DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038449 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/7/a/ 000492057500001 2-s2.0-85076758192 2019PhyU...62..633D Цитата: Долгополов В Т "Двумерная система сильновзаимодействующих электронов в кремниевых (100) структурах" УФН 189 673–690 (2019) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Поступила: 28 апреля 2018, доработана: 7 октября 2018, одобрена в печать: 16 октября 2018 English citation: Dolgopolov V T “Two-dimensional system of strongly interacting electrons in silicon (100) structures” Phys. Usp. 62 633–648 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038449