RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 6, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2026

 / 

Июнь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами

†  а,  а,  а, б,  а
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанский научный центр РАН, Сибирский тракт 10/7, Казань, 420029, Российская Федерация

Сверхлегирование — введение примесей в полупроводники с концентрациями, превышающими равновесную растворимость на порядки величины (∼ 1020 см−3), — открывает путь к формированию примесных зон в запрещённой зоне кремния. Внедрение халькогенов (S, Se, Te) позволяет достичь высоких значений коэффициента поглощения (102—104 см−1) в инфракрасном диапазоне (1—6 мкм) за счёт переходов "примесь—зона". Обзор охватывает механизмы формирования примесных состояний, методы синтеза (ионная имплантация, лазерная обработка), а также структурные, электрические и оптические свойства. Особый фокус — на применении в инфракрасных фотоприёмниках, работающих при комнатной температуре, и решении проблем нестабильности (сегрегация, дефекты) через оптимизацию отжига, селективное легирование и гетероструктуры.

Текст pdf (378 Кб)
Ключевые слова: кремний, халькогены, легирование, ионная имплантация, импульсный лазерный отжиг, плавление, кристаллизация, глубокие уровни, примесная зона, фотоприёмник
PACS: 71.55.−i
DOI: 10.3367/UFNr.2025.12.040077
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2026/6/b/
Цитата: Ковалев М С, Подлесных И М, Баталов Р И, Кудряшов С И "Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами" УФН 196 601–614 (2026)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 16 сентября 2025, доработана: 16 декабря 2025, 17 декабря 2025

English citation: Kovalev M S, Podlesnykh I M, Batalov R I, Kudryashov S I “Infrared photoconductivity of chalcogen-doped silicon” Phys. Usp. 69 (6) (2026); DOI: 10.3367/UFNe.2025.12.040077

Похожие статьи (20) ↓

  1. К.В. Рейх «Электропроводность массива квантовых точек» УФН 190 1062–1084 (2020)
  2. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» УФН 145 51–86 (1985)
  3. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» УФН 172 875–906 (2002)
  4. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» УФН 114 185–211 (1974)
  5. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» УФН 168 817–842 (1998)
  6. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» УФН 170 143–155 (2000)
  7. Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров «Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем» УФН 177 619–638 (2007)
  8. Г.Н. Макаров «Применение лазеров в нанотехнологии: получение наночастиц и наноструктур методами лазерной абляции и лазерной нанолитографии» УФН 183 673–718 (2013)
  9. П.В. Елютин «Проблема квантового хаоса» УФН 155 397–442 (1988)
  10. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» УФН 173 813–846 (2003)
  11. Ч.Б. Лущик, И.К. Витол, М.А. Эланго «Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах» УФН 122 223–251 (1977)
  12. А.Л. Ивановский «Магнитные эффекты в немагнитных sp-материалах, индуцированные sp-примесями и дефектами» УФН 177 1083 (2007)
  13. И.М. Суслов «Построение (4-ε)-мерной теории для плотности состояний неупорядоченной системы вблизи перехода Андерсона» УФН 168 503–530 (1998)
  14. Л.М. Зеленый, А.В. Милованов «Фрактальная топология и странная кинетика: от теории перколяции к проблемам космической электродинамики» УФН 174 809–852 (2004)
  15. Э.З. Кучинский, И.А. Некрасов, М.В. Садовский «Обобщённая теория динамического среднего поля в физике сильнокоррелированных систем» УФН 182 345–378 (2012)
  16. И.Г. Неизвестный, А.Э. Климов, В.Н. Шумский «Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра» УФН 185 1031–1042 (2015)
  17. Д.С. Смирнов, В.Н. Манцевич, М.М. Глазов «Теория оптически детектируемых спиновых флуктуаций в наносистемах» УФН 191 973–998 (2021)
  18. Я.С. Ляхова, Г.В. Астрецов, А.Н. Рубцов «Концепция среднего поля и методы пост-DMFT в современной теории коррелированных систем» УФН 193 825–844 (2023)
  19. В.Л. Калихман, Я.С. Уманский «Халькогениды переходных металлов со слоистой структурой и особенности заполнения их бриллюэновой зоны» УФН 108 503–528 (1972)
  20. Л.М. Блинов «Лэнгмюровские пленки» УФН 155 443–480 (1988)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение