Дан обзор наиболее примечательных экспериментов, проведённых в ИФП РАН в кооперации с ИРЭ РАН, по влиянию миллиметрового облучения, температуры T и магнитного поля B на проводимость туннельных структур сверхпроводник — изолятор — нормальный металл — изолятор — сверхпроводник (СИНИС) при температурах T ≪ T_C и при малых напряжениях, при которых одноэлектронный ток сравним или меньше подщелевого двухэлектронного андреевского тока. Установлено, что при облучении с энергией квантов ħω ≫ kT электронная подсистема в нормальном металле не достигает равновесия. При импульсном облучении получена оценка постоянной времени СИНИС-структур как детектора излучения на уровне единиц микросекунд. Исследовано воздействие магнитного поля на одноэлектронную и на андреевскую проводимость СИНИС.

Ключевые слова: туннельные переходы, структуры сверхпроводник—изолятор—нормальный металл—изолятор—сверхпроводник, андреевский ток, детекторы излучения миллиметрового диапазона, электронная температура, электрон-фононное взаимодействие, вихревая структура Абрикосова PACS: 07.57.−c, 74.45.+c, 85.25.Pb (все) DOI: 10.3367/UFNr.2024.12.039844 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2025/7/h/ 2-s2.0-105013800061 2025PhyU...68..711L Цитата: Лемзяков С А, Тарасов М А, Эдельман В С "Влияние внешних воздействий на низкотемпературную проводимость туннельных структур сверхпроводник—изолятор—нормальный меалл—изолятор—сверхпроводник" УФН 195 759–765 (2025) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Поступила: 18 декабря 2024, одобрена в печать: 18 декабря 2024 English citation: Lemzyakov S A, Tarasov M, Edelman V S “External factors acting on low-temperature conductivity of superconductor—insulator—normal metal—insulator—superconductor tunnel structures” Phys. Usp. 68 711–716 (2025); DOI: 10.3367/UFNe.2024.12.039844