Влияние внешних воздействий на низкотемпературную проводимость туннельных структур сверхпроводник—изолятор—нормальный меалл—изолятор—сверхпроводник

С.А. Лемзяков^†^а, М.А. Тарасов^‡^б, В.С. Эдельман^§^а
^аИнститут физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 119334, Российская Федерация
^бИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, ул. Моховая 11, кор. 7, Москва, 125009, Российская Федерация

Дан обзор наиболее примечательных экспериментов, проведённых в ИФП РАН в кооперации с ИРЭ РАН, по влиянию миллиметрового облучения, температуры T и магнитного поля B на проводимость туннельных структур сверхпроводник — изолятор — нормальный металл — изолятор — сверхпроводник (СИНИС) при температурах T ≪ T_C и при малых напряжениях, при которых одноэлектронный ток сравним или меньше подщелевого двухэлектронного андреевского тока. Установлено, что при облучении с энергией квантов ħω ≫ kT электронная подсистема в нормальном металле не достигает равновесия. При импульсном облучении получена оценка постоянной времени СИНИС-структур как детектора излучения на уровне единиц микросекунд. Исследовано воздействие магнитного поля на одноэлектронную и на андреевскую проводимость СИНИС.

Текст pdf (875 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2024.12.039844

Ключевые слова: туннельные переходы, структуры сверхпроводник—изолятор—нормальный металл—изолятор—сверхпроводник, андреевский ток, детекторы излучения миллиметрового диапазона, электронная температура, электрон-фононное взаимодействие, вихревая структура Абрикосова
PACS: 07.57.−c, 74.45.+c, 85.25.Pb (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2024.12.039844
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2025/7/h/
Scopus

2-s2.0-105013800061
ADS NASA

2025PhyU...68..711L
Цитата: Лемзяков С А, Тарасов М А, Эдельман В С "Влияние внешних воздействий на низкотемпературную проводимость туннельных структур сверхпроводник—изолятор—нормальный меалл—изолятор—сверхпроводник" УФН 195 759–765 (2025)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 18 декабря 2024, одобрена в печать: 18 декабря 2024

English citation: Lemzyakov S A, Tarasov M, Edelman V S “External factors acting on low-temperature conductivity of superconductor—insulator—normal metal—insulator—superconductor tunnel structures” Phys. Usp. 68 711–716 (2025); DOI: 10.3367/UFNe.2024.12.039844

Список литературы (21) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (2) Похожие статьи (20)

Kuzmin L S Physica B 284-288 2129 (2000)
Kuzmin L J. Phys. Conf. Ser. 97 012310 (2008)
Тарасов М А и др ЖЭТФ 146 123 (2014); Tarasov M A et al J. Exp. Theor. Phys. 119 107 (2014)
Tarasov M A et al IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 5 44 (2015)
Tarasov M et al J. Appl. Phys. 125 174501 (2019)
Лемзяков С А "Взаимодействие СИНИС-структур с субмиллиметровым излучением" Дисс. ... канд. физ.-мат. наук (М.: ИФП РАН, 2020)
Селиверстов А В, Тарасов М А, Эдельман В С ЖЭТФ 151 752 (2017); Seliverstov A V, Tarasov M A, Edel'man V S J. Exp. Theor. Phys. 124 643 (2017)
Ермаков А Б, Тарасов М А, Эдельман В С ЖЭТФ 166 391 (2024)
Эдельман В С, Якопов Г В Приборы и техника эксперимента (5) 129 (2013); Edelman V S, Yakopov G V Instrum. Exp. Tech. 56 613 (2013)
Giaever I, Megerle K Phys. Rev. 122 1101 (1961)
O'Neil G C et al Phys. Rev. B 85 134504 (2012)
Девятов И А, Крутицкий П А, Куприянов М Ю Письма в 84 61 (2006); Devyatov I A, Krutitskii P A, Kupriyanov M Yu JETP Lett. 84 57 (2006)
Лемзяков С А, Тарасов М А, Эдельман В С ЖЭТФ 153 992 (2018); Lemzyakov S A, Tarasov M A, Edelman V S J. Exp. Theor. Phys. 126 825 (2018)
Holland W S et al Mon. Not. R. Astron. Soc. 430 2513 (2013)
Atepalikhin A et al IEEE 8th All-Russian Microwave Conf., RMC, Moscow, Russian Federation, 23-25 November 2022 (Piscataway, NJ: IEEE, 2022) p. 23
Тарасов М А, Эдельман В С Письма в ЖЭТФ 101 836 (2015); Tarasov M A, Edel'man V S JETP Lett. 101 740 (2015)
Селиверстов А В, Тарасов М А, Эдельман В С Письма в ЖЭТФ 103 547 (2016); Seliverstov A V, Tarasov M A, Edel'man V S JETP Lett. 103 484 (2016)
Greibe T et al Phys. Rev. Lett. 106 097001 (2011)
Hekking F W J, Nazarov Yu V Phys. Rev. B 49 6847 (1994)
Anthore A, Pothier H, Esteve D Phys. Rev. Lett. 90 127001 (2003)
Dikin D A, Black M J, Chandrasekhar V Phys. Rev. Lett. 87 187003 (2001)