Выпуски

 / 

2020

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Резонансный электронный обмен при рассеянии ионов на металлических поверхностях

 
Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Воробьевы горы, Москва, 119899, Российская Федерация

Рассматривается электронный обмен при рассеянии медленных ионов (РМИ). В случае металлических поверхностей конечное зарядовое состояние рассеянных ионов/атомов, как правило, формируется за счёт резонансного электронного обмена. Систематизируются базовые концепции, модельные представления и основные закономерности электронного обмена. В прикладном плане электронный обмен важен для диагностики поверхности методом РМИ, так как некорректный учёт электронного обмена может приводить к кратным ошибкам. В свою очередь метод РМИ обладает наилучшей поверхностной чувствительностью и незаменим при измерении состава верхнего слоя поверхности.

Текст pdf (904 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2019.11.038691
Ключевые слова: ионные пучки, рассеяние, металлы, наносистемы, зарядовый (электронный) обмен, резонансное туннелирование, диагностика
PACS: 02.70.−c, 34.35.+a, 73.20.At, 73.40.Gk, 73.63.−b, 79.20.Rf (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2019.11.038691
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2020/9/c/
000597245700003
2-s2.0-85098620294
2020PhyU...63..888G
Цитата: Гайнуллин И К "Резонансный электронный обмен при рассеянии ионов на металлических поверхностях" УФН 190 950–970 (2020)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 21 мая 2019, доработана: 5 ноября 2019, 19 ноября 2019

English citation: Gainullin I K “Resonant charge transfer during ion scattering on metallic surfacesPhys. Usp. 63 888–906 (2020); DOI: 10.3367/UFNe.2019.11.038691

Список литературы (128) Статьи, ссылающиеся на эту (11) Похожие статьи (20) ↓

  1. Б.М. Смирнов «Металлические наноструктуры: от кластеров к нанокатализу и сенсорам» 187 1329–1364 (2017)
  2. Р.С. Берри, Б.М. Смирнов «Моделирование конфигурационных переходов в атомных системах» 183 1029–1057 (2013)
  3. Г.Н. Макаров «Экстремальные процессы в кластерах при столкновении с твердой поверхностью» 176 121–174 (2006)
  4. К.В. Рейх «Электропроводность массива квантовых точек» 190 1062–1084 (2020)
  5. Д.К. Белащенко «Имеет ли модель погружённого атома предсказательную силу?» 190 1233–1260 (2020)
  6. Г.Н. Макаров «Кластерная температура. Методы ее измерения и стабилизации» 178 337–376 (2008)
  7. А.Н. Лачинов, Н.В. Воробьева «Электроника тонких слоев широкозонных полимеров» 176 1249–1266 (2006)
  8. Я.М. Фогель «Вторичная ионная эмиссия» 91 75–112 (1967)
  9. Э.Я. Зандберг, Н.И. Ионов «Поверхностная ионизация» 67 581–623 (1959)
  10. Е.Д. Эйдельман, А.В. Архипов «Полевая эмиссия из углеродных наноструктур: модели и эксперимент» 190 693–714 (2020)
  11. В.И. Шематович, М.Я. Маров «Диссипация планетных атмосфер: физические процессы и численные модели» 188 233–265 (2018)
  12. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» 188 1249–1287 (2018)
  13. Д.К. Белащенко «Компьютерное моделирование жидких металлов» 183 1281–1322 (2013)
  14. П.И. Арсеев, Н.С. Маслова «Взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании через одиночные молекулы» 180 1197–1216 (2010)
  15. И.М. Дремин, О.В. Иванов, В.А. Нечитайло «Вейвлеты и их использование» 171 465–501 (2001)
  16. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле» 155 219–264 (1988)
  17. И.А. Аброян, М.А. Еремеев, Н.Н. Петров «Возбуждение электронов в твердых телах сравнительно медленными атомными частицами» 92 105–157 (1967)
  18. Р.И. Гарбер, А.И. Федоренко «Фокусировка атомных столкновений в кристаллах» 83 385–432 (1964)
  19. В.Б. Леонас «Современное состояние и некоторые новые результаты метода молекулярного пучка» 82 287–323 (1964)
  20. В.И. Фистуль, Н.З. Шварц «Туннельные диоды» 77 109–160 (1962)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение