Выпуски

 / 

2020

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Коллективные состояния экситонов в полупроводниках

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Дан обзор многочастичных эффектов в ансамблях экситонов в полупроводниках с акцентом на двумерные системы: структуры с одиночными и двойными квантовыми ямами и с квантовыми микрорезонаторами. Обсуждается эффект конденсации Бозе—Эйнштейна — накопления макроскопического числа экситонов в основном состоянии системы. Известный запрет на конденсацию в низкоразмерных системах может быть снят за счёт беспорядка, обусловленного хаотическим потенциалом. Анализируются проявления конечного времени жизни экситонов и соответственно неравновесности системы, обусловленной процессами прихода и ухода экситонов в конденсатное состояние. Кратко описываются другие коллективные фазы экситонов: двумерный кристалл диполярных экситонов и электронно-дырочная жидкость, возникающие в результате взаимодействия между частицами.

Текст pdf (1,2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038663
Ключевые слова: экситон, конденсат Бозе—Эйнштейна, сверхтекучесть, беспорядок, диполярный экситон, экситонный поляритон
PACS: 03.75.Hh, 03.75.Kk, 71.35.−y, 71.35.Lk, 71.36.+c, 72.15.Rn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2019.10.038663
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2020/11/a/
000613920600001
2-s2.0-85101540805
2020PhyU...63.1051G
Цитата: Глазов М М, Сурис Р А "Коллективные состояния экситонов в полупроводниках" УФН 190 1121–1142 (2020)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Collective states of excitons in semiconductors
AU Glazov, M. M.
AU Suris, R. A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2020
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 190
IS 11
SP 1121-1142
UR https://ufn.ru/ru/articles/2020/11/a/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.2019.10.038663

Поступила: 14 августа 2019, 1 октября 2019

English citation: Glazov M M, Suris R A “Collective states of excitons in semiconductorsPhys. Usp. 63 1051–1071 (2020); DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038663

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение