Выпуски

 / 

2020

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Коллективные состояния экситонов в полупроводниках

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Дан обзор многочастичных эффектов в ансамблях экситонов в полупроводниках с акцентом на двумерные системы: структуры с одиночными и двойными квантовыми ямами и с квантовыми микрорезонаторами. Обсуждается эффект конденсации Бозе—Эйнштейна — накопления макроскопического числа экситонов в основном состоянии системы. Известный запрет на конденсацию в низкоразмерных системах может быть снят за счёт беспорядка, обусловленного хаотическим потенциалом. Анализируются проявления конечного времени жизни экситонов и соответственно неравновесности системы, обусловленной процессами прихода и ухода экситонов в конденсатное состояние. Кратко описываются другие коллективные фазы экситонов: двумерный кристалл диполярных экситонов и электронно-дырочная жидкость, возникающие в результате взаимодействия между частицами.

Текст pdf (1,2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038663
Ключевые слова: экситон, конденсат Бозе—Эйнштейна, сверхтекучесть, беспорядок, диполярный экситон, экситонный поляритон
PACS: 03.75.Hh, 03.75.Kk, 71.35.−y, 71.35.Lk, 71.36.+c, 72.15.Rn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2019.10.038663
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2020/11/a/
000613920600001
2-s2.0-85101540805
2020PhyU...63.1051G
Цитата: Глазов М М, Сурис Р А "Коллективные состояния экситонов в полупроводниках" УФН 190 1121–1142 (2020)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Glazov:2020,
	author = {М. М. Глазов and Р. А. Сурис},
	title = {Коллективные состояния экситонов в полупроводниках},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2020},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {190},
	number = {11},
	pages = {1121-1142},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2020/11/a/},
	doi = {10.3367/UFNr.2019.10.038663}
}

Поступила: 14 августа 2019, 1 октября 2019

English citation: Glazov M M, Suris R A “Collective states of excitons in semiconductorsPhys. Usp. 63 1051–1071 (2020); DOI: 10.3367/UFNe.2019.10.038663

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение