Целью обзора является описание и критический анализ работ различных экспериментальных групп, изучавших свойства двумерного электронного газа в кремниевых полупроводниковых системах (полевых транзисторах (100)Si-MOSFET и квантовых ямах (100) SiGe/Si/SiGe) в окрестности перехода металл—изолятор. Выделены результаты, общие для всех исследователей: 1) эффективная масса электронов, измеренная на уровне Ферми, в металлической области возрастает по мере понижения концентрации и, по экстраполяции, имеет тенденцию к расходимости; 2) средняя по энергии масса в металлической области ведёт себя в двух исследованных системах по-разному: в Si-MOSFET она также обнаруживает тенденцию к расходимости, в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe — насыщается в области минимальных концентраций; 3) в металлической фазе имеется небольшое (зависящее от качества образца) количество локализованных электронов; 4) в фазе изолятора в окрестности перехода металл—изолятор электронная система обнаруживает свойства, типичные для аморфных сред с сильным взаимодействием между составляющими такую среду частицами.

Ключевые слова: двумерные электронные системы, переход металл—изолятор, эффективная масса PACS: 71.27.+a, 71.30.+h, 73.20.−r (все) DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038449 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/7/a/ 000492057500001 2-s2.0-85076758192 2019PhyU...62..633D Цитата: Долгополов В Т "Двумерная система сильновзаимодействующих электронов в кремниевых (100) структурах" УФН 189 673–690 (2019) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Two-dimensional system of strongly interacting electrons in silicon (100) structures A1 Dolgopolov,V.T. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 2019 FD 10 Jul, 2019 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 189 IS 7 SP 673-690 DO 10.3367/UFNr.2018.10.038449 LK https://ufn.ru/ru/articles/2019/7/a/ Поступила: 28 апреля 2018, доработана: 7 октября 2018, одобрена в печать: 16 октября 2018 English citation: Dolgopolov V T “Two-dimensional system of strongly interacting electrons in silicon (100) structures” Phys. Usp. 62 633–648 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038449