Двумерная система сильновзаимодействующих электронов в кремниевых (100) структурах

В.Т. Долгополов^а, б
^аИнститут физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
^бРедакция журнала "Письма в ЖЭТФ", Москва, Российская Федерация

Целью обзора является описание и критический анализ работ различных экспериментальных групп, изучавших свойства двумерного электронного газа в кремниевых полупроводниковых системах (полевых транзисторах (100)Si-MOSFET и квантовых ямах (100) SiGe/Si/SiGe) в окрестности перехода металл—изолятор. Выделены результаты, общие для всех исследователей: 1) эффективная масса электронов, измеренная на уровне Ферми, в металлической области возрастает по мере понижения концентрации и, по экстраполяции, имеет тенденцию к расходимости; 2) средняя по энергии масса в металлической области ведёт себя в двух исследованных системах по-разному: в Si-MOSFET она также обнаруживает тенденцию к расходимости, в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe — насыщается в области минимальных концентраций; 3) в металлической фазе имеется небольшое (зависящее от качества образца) количество локализованных электронов; 4) в фазе изолятора в окрестности перехода металл—изолятор электронная система обнаруживает свойства, типичные для аморфных сред с сильным взаимодействием между составляющими такую среду частицами.

Текст pdf (948 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038449

Ключевые слова: двумерные электронные системы, переход металл—изолятор, эффективная масса
PACS: 71.27.+a, 71.30.+h, 73.20.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.10.038449
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/7/a/
Web of Science

000492057500001
Scopus

2-s2.0-85076758192
ADS NASA

2019PhyU...62..633D
Цитата: Долгополов В Т "Двумерная система сильновзаимодействующих электронов в кремниевых (100) структурах" УФН 189 673–690 (2019)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Two-dimensional system of strongly interacting electrons in silicon (100) structures
%A V. T. Dolgopolov
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 2019
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 189
%N 7
%P 673-690
%U https://ufn.ru/ru/articles/2019/7/a/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.10.038449

Поступила: 28 апреля 2018, доработана: 7 октября 2018, одобрена в печать: 16 октября 2018

English citation: Dolgopolov V T “Two-dimensional system of strongly interacting electrons in silicon (100) structures” Phys. Usp. 62 633–648 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.10.038449