RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2016

 / 

Июнь

←  →

Конференции и симпозиумы. 70 лет Казанскому физико-техническому институту им. Е.К. Завойского Казанского научного центра РАН


Радиоспектроскопия оптически выстроенных спиновых состояний центров окраски в карбиде кремния

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Уникальные квантовые свойства азотно-вакансионного центра окраски (NV-центра) в алмазе мотивировали проведение поисков центров окраски с аналогичными свойствами в карбиде кремния (SiC), которые могут усилить функциональность таких систем. Представлены результаты исследований, дающие основание считать, что вакансонные спиновые центры окраски в SiC не только обладают свойствами, аналогичными тем, которые характерны для NV-центров в алмазе, но и существенно их расширяют, что делает эти объекты перспективными квантовыми системами для многочисленных применений в спинтронике, в области квантовой обработки информации и сенсорикe в условиях окружающей среды.

Текст pdf (955 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2016.02.037755
Ключевые слова: спиновые центры, вакансионные кремниевые центры, оптическая поляризация электронных спинов, магнитный резонанс
PACS: 76.30.−v, 78.47.−p, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2016.02.037755
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2016/6/l/
000386349400011
2-s2.0-84987623641
2016PhyU...59..613B
Цитата: Солтамов В А, Баранов П Г "Радиоспектроскопия оптически выстроенных спиновых состояний центров окраски в карбиде кремния" УФН 186 678–684 (2016)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 7 марта 2016, 4 февраля 2016

English citation: Soltamov V A, Baranov P G “Radio spectroscopy of the optically aligned spin states of color centers in silicon carbide” Phys. Usp. 59 605–610 (2016); DOI: 10.3367/UFNe.2016.02.037755

Список литературы (31) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (3) Похожие статьи (20)

  1. Zavoisky E J. Phys. USSR 9 211 (1945)
  2. Gruber A et al. Science 276 2012 (1997)
  3. Jelezko F et al. Appl. Phys. Lett. 81 2160 (2002)
  4. Jelezko F et al. Phys. Rev. Lett. 92 076401 (2004)
  5. Jelezko F, Wrachtrup J Phys. Status Solidi A 203 3207 (2006)
  6. Awschalom D D, Flatté M E Nature Phys. 3 153 (2007)
  7. Hanson R, Awschalom D D Nature 453 1043 (2008)
  8. Koenraad P M, Flatté M E Nature Mater. 10 91 (2011)
  9. Вейнгер А И и др. ФТП 13 2366 (1979); Veinger A I et al. Sov. Phys. Semicond. 13 1385 (1979)
  10. Вайнер В С, Ильин В А ФТТ 23 3659 (1981); Vainer V S, Il'in V A Sov. Phys. Solid State 23 2126 (1981)
  11. von Bardeleben H J et al. Phys. Rev. B 62 10126 (2000)
  12. von Bardeleben H J et al. Phys. Rev. B 62 10841 (2000)
  13. Wagner Mt et al. Phys. Rev. B 62 16555 (2000)
  14. Mizuochi N et al. Phys. Rev. B 66 235202 (2002)
  15. Orlinski S B, Schmidt J, Mokhov E N, Baranov P G Phys. Rev. B 67 125207 (2003)
  16. Баранов П Г и др. Письма в ЖЭТФ 82 494 (2005); Baranov P G et al. JETP Lett. 82 441 (2005)
  17. Carlos W E et al. Phys. Rev. B 74 235201 (2006)
  18. Баранов П Г и др. Письма в ЖЭТФ 86 231 (2007); Baranov P G et al. JETP Lett. 86 202 (2007)
  19. Baranov P G et al. Phys. Rev. B 83 125203 (2011)
  20. Weber J R et al. Proc. Natl. Acad. Sci. USA 107 8513 (2010)
  21. DiVincenzo D Nature Mater. 9 468 (2010)
  22. Koehl W F et al. Nature 479 84 (2011)
  23. Soltamov V A et al. Phys. Rev. Lett. 108 226402 (2012)
  24. Phys. Rev. Lett. 109 226402 (2012)
  25. Baranov P G et al. Mater. Sci. Forum 740 - 742 425 (2013)
  26. Fuchs F Sci. Rep. 3 1637 (2013)
  27. Kraus H et al. Nature Phys. 10 157 (2014)
  28. Kraus H et al. Sci. Rep. 4 5303 (2014)
  29. Falk A L et al. Nature Commun. 4 1819 (2013)
  30. Hain T C et al. J. Appl. Phys. 115 133508 (2014)
  31. Soltamov V A et al. Phys. Rev. Lett. 115 247602 (2015)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение