|
||||||||||||||||||
Сегнетоэлектричество в наноразмерной областиа Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация б Department of Physics and Astronomy, Behlen Laboratory of Physics, Center for Materials Research and Analysis, University of Nebraska-Linkoln, Linkoln, NE, USA Представлен обзор свойств сегнетоэлектриков в наноразмерной области. Под наноразмерной областью мы будем понимать диапазон толщин сегнетоэлектрических плёнок, сравнимый по порядку величины с размером критического зародыша домена. Рассмотрены три явления: особенности сегнетоэлектрического переключения, зависимость коэрцитивного поля от толщины плёнки и объёмный фотовольтаический эффект. Изучение наноразмерных сегнетоэлектриков началось около 20 лет назад, однако интерес к перовскитным плёнкам появился только в последние несколько лет.
|
||||||||||||||||||
|