Выпуски

 / 

2008

 / 

Сентябрь

  

Физика наших дней


Оптические свойства графена и полупроводников типа A4B6


Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 119334, Российская Федерация

Рассмотрена частотная дисперсия динамической проводимости графена, многослойной системы графеновых слоев и полупроводников A4B6 в зависимости от температуры и концентрации носителей в области частот бóльших, чем частота релаксации носителей, но малых по сравнению с шириной зоны проводимости. Узкая запрещенная зона и линейность электронного спектра — общая черта этих материалов — приводят к особенности у диэлектрической проницаемости (логарифмической в вещественной части и конечному скачку в мнимой) на пороге прямых межзонных переходов и, соответственно, к аномально большой величине диэлектрической постоянной у полупроводников A4B6. Рассчитанные и измеренные значения диэлектрических констант находятся в очень хорошем согласии друг с другом. Коэффициент прохождения через графен в оптическом диапазоне не зависит от частоты, а его отличие от единицы дает значение постоянной тонкой структуры. Различие в размерности, равной трем у полупроводников и двум у графена, выражается в различном характере плазмонов, а также электромагнитных волн, которые могут существовать при высоком допировании (или в условиях эффекта поля) вблизи порога поглощения.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.20.Nr, 78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.66.Tr (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200809b.0923
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/9/b/
Цитата: Фальковский Л А "Оптические свойства графена и полупроводников типа A4B6" УФН 178 923–934 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Falkovsky L A “Optical properties of graphene and IV — VI semiconductorsPhys. Usp. 51 887–897 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n09ABEH006625

Список литературы (30) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (158) Похожие статьи (1)

  1. Castro Neto A H et al. arXiv:0709.1163
  2. Ando T Phys. Rev. E (2008), in press
  3. Geim A K, Novoselov K S Nature Mater. 6 183 (2007)
  4. Avouris P, Chen Z, Perebeinos V Nature Nanotechnol. 2 605 (2007)
  5. Фальковский Л А, Бродовой А В, Лашкарев Г В ЖЭТФ 80 334 (1981); Falkovsky L A, Brodovoi A V, Lashkarev G V Sov. Phys. JETP 53 170 (1981)
  6. Волков Б А, Ручайский О М ФТТ 40 57 (1998); Volkov B A, Ruchaiskii O M Phys. Solid State 40 50 (1998)
  7. Абрикосов A A ЖЭТФ 44 2039 (1963); Abrikosov A A Sov. Phys. JETP 17 1372 (1963)
  8. Бенеславский С Д, Фальковский Л А ЖЭТФ 69 1063 (1975); Beneslavsky S D, Falkovsky L A Sov. Phys. JETP 42 541 (1975); Brandt N B, Semenov M V, Falkovsky L A J. Low Temp. Phys. 27 75 (1977)
  9. Korn D M, Braunstein R Phys. Rev. B 5 4837 (1972)
  10. Suzuki N, Sawai K, Adachi S J. Appl. Phys. 77 1249 (1995)
  11. Васько Ф Т ФТП 9 1565 (1975)
  12. Волков Б А, Кушнир В П, Панкратов О А ФТТ 24 415 (1982); Volkov B A, Kushnir V P, Pankratov O A Sov. Phys. Solid State 24 235 (1982)
  13. Kohn S E et al. Phys. Rev. B 8 1477 (1973)
  14. Albanesi E A, Peltzer y Blanca E L, Petukhov A G Comput. Mater. Sci. 32 85 (2005)
  15. Dalen R in Solid State Physics: Advances in Research and Applications Vol. 26 (Eds F Seitz, D Turnbull, H Ehrenreich) (New York: Academic Press, 1973) p. 179
  16. Preier H Appl. Phys. 20 189 (1979)
  17. Bauer G in Narrow Gap Semiconductors, Physics and Applications (Lecture Notes in Physics, Vol. 133, Ed. W Zawadzki) (Berlin: Springer-Verlag, 1980)
  18. Fretigny C, Saito R, Kamimura H J. Phys. Soc. Jpn. 58 2098 (1989)
  19. Falkovsky L A, Varlamov A A Eur. Phys. J. B 56 281 (2007)
  20. Falkovsky L A, Pershoguba S S Phys. Rev. B 76 153410 (2007)
  21. Gusynin V P, Sharapov S G, Carbotte J P Phys. Rev. B 75 165407 (2007)
  22. Novoselov K S et al. Science 306 666 (2004); Novoselov K S et al. Nature 438 197 (2005)
  23. Zhang Y et al. Phys. Rev. Lett. 94 176803 (2005); Zhang Y et al. Nature 438 201 (2005)
  24. Mikhailov S A, Ziegler K Phys. Rev. Lett. 99 016803 (2007)
  25. Abergel D S L, Russell A, Fal'ko V I Appl. Phys. Lett. 91 063125 (2007); Abergel D S L, Russell A, Fal'ko V I arXiv:0705.0091
  26. Hwang E H, Das Sarma S Phys. Rev. B 75 205418 (2007)
  27. Nair R R et al. Science 320 1308 (2008)
  28. Suzuki N, Adachi S Jpn. J. Appl. Phys. 33 193 (1994)
  29. Cardona M, Greenaway D L Phys. Rev. 133 A1685 (1964)
  30. Moss T S Optical Properties of Semiconductors (London: Butterworth, 1959) p. 189

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение