Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах
В.М. Фридкин
Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация
В последнее время предпринимается попытка определения критического размера в сегнетоэлектричестве.
Этот фундаментальный вопрос в связи с развитием сегнетоэлектрических наноструктур стал актуальным и в прикладном отношении. Показано, что, несмотря на предсказанное теорией существование
конечного критического размера, по крайней мере, в сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра-Блоджетт, приготовленных из сополимера винилиденфторида-трифторэтилена P[VDF-TrFE], сегнетоэлектрическая поляризация и ее переключение наблюдаются в одном монослое. Приводится краткий
обзор работ по поиску критического размера в перовскитовых сегнетоэлектриках. Показано, что теория
Ландау-Гинзбурга предсказывает сколь угодно малый критический размер, если учесть несобственный
эффект, связанный с деформациями несоответствия на границе пленка-электрод (’mismatch’ эффект).
Сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки могут обладать особенностями в динамике переключения.
|