Выпуски

 / 

2006

 / 

Февраль

  

Из текущей литературы


Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах


Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация

В последнее время предпринимается попытка определения критического размера в сегнетоэлектричестве. Этот фундаментальный вопрос в связи с развитием сегнетоэлектрических наноструктур стал актуальным и в прикладном отношении. Показано, что, несмотря на предсказанное теорией существование конечного критического размера, по крайней мере, в сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра-Блоджетт, приготовленных из сополимера винилиденфторида-трифторэтилена P[VDF-TrFE], сегнетоэлектрическая поляризация и ее переключение наблюдаются в одном монослое. Приводится краткий обзор работ по поиску критического размера в перовскитовых сегнетоэлектриках. Показано, что теория Ландау-Гинзбурга предсказывает сколь угодно малый критический размер, если учесть несобственный эффект, связанный с деформациями несоответствия на границе пленка-электрод (’mismatch’ эффект). Сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки могут обладать особенностями в динамике переключения.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 05.70.Np, 77.80.−e, 77.84.Jd (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200602c.0203
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/c/
Цитата: Фридкин В М "Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах" УФН 176 203–212 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Fridkin V M “Critical size in ferroelectric nanostructuresPhys. Usp. 49 193–202 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n02ABEH005840

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение