Выпуски

 / 

2006

 / 

Февраль

  

Из текущей литературы


Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах


Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация

В последнее время предпринимается попытка определения критического размера в сегнетоэлектричестве. Этот фундаментальный вопрос в связи с развитием сегнетоэлектрических наноструктур стал актуальным и в прикладном отношении. Показано, что, несмотря на предсказанное теорией существование конечного критического размера, по крайней мере, в сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра-Блоджетт, приготовленных из сополимера винилиденфторида-трифторэтилена P[VDF-TrFE], сегнетоэлектрическая поляризация и ее переключение наблюдаются в одном монослое. Приводится краткий обзор работ по поиску критического размера в перовскитовых сегнетоэлектриках. Показано, что теория Ландау-Гинзбурга предсказывает сколь угодно малый критический размер, если учесть несобственный эффект, связанный с деформациями несоответствия на границе пленка-электрод (’mismatch’ эффект). Сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки могут обладать особенностями в динамике переключения.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 05.70.Np, 77.80.−e, 77.84.Jd (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200602c.0203
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/c/
Цитата: Фридкин В М "Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах" УФН 176 203–212 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Fridkin V M “Critical size in ferroelectric nanostructuresPhys. Usp. 49 193–202 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n02ABEH005840

Список литературы (57) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (56) Похожие статьи (3)

  1. Onsager L Phys. Rev. 65 117 (1944)
  2. Ландау Л Д, Лифшиц Е М Статистическая физика (М.: Наука, 1964)
  3. Гинзбург В Л ЖЭТФ 15 739 (1945)
  4. Гинзбург В Л ЖЭТФ 19 36 (1949)
  5. Ishikawa K, Yoshikawa K, Okada N Phys. Rev. B 37 5852 (1988)
  6. Palto S P et al. Ferroelectr. Lett. 19 65 (1995)
  7. Bune A V et al. Nature 391 874 (1998)
  8. Qu H et al. Appl. Phys. Lett. 82 4322 (2003)
  9. Fridkin V et al. Ferroelectrics 314 37 (2005)
  10. Tagantsev A Integr. Ferroelectrics 16 237 (1997)
  11. Auciello O, Scott J F, Ramesh R Phys. Today 51 (7) 22 (1998)
  12. Kohlstedt H, Pertsev N A, Waser R Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 688 651 (2002)
  13. Batra I P, Silverman B D Solid State Commun. 11 291 (1972)
  14. Scott J F Ferroelectr. Rev. 1 1 (1998)
  15. Li S et al. Phys. Lett. A 212 341 (1996)
  16. Yanase N et al. Jpn. J. Appl. Phys. 38 5305 (1999)
  17. Karasawa J et al. Integr. Ferroelectrics 12 105 (1996)
  18. Li S et al. Jpn. J. Appl. Phys. 36 5169 (1997)
  19. Maruyama T et al. Appl. Phys. Lett. 73 3524 (1998)
  20. Tybell T, Ahn C H, Triscone J-M Appl. Phys. Lett. 75 856 (1999)
  21. Ghosez Ph, Rabe K M Appl. Phys. Lett. 76 2767 (2000)
  22. Zembilgotov A G et al. J. Appl. Phys. 91 2247 (2002)
  23. Блинов Л М и др. УФН 170 247 (2000); Blinov L M Phys. Usp. 43 243 (2000); Ducharme S et al. Phys. Rev. Lett. 84 175 (2000)
  24. Furukawa T Ferroelectrics 57 63 (1984)
  25. Ahn C H, Rabe K M, Triscone J-M Science 303 488 (2004)
  26. Prasertchoung S et al. Appl. Phys. Lett. 84 3130 (2004)
  27. Fong D D et al. Science 304 1650 (2004)
  28. Kim Y S et al. in Proc. of the Workshop Nanoelectronics Days 2005, Abstract book, Forschungszentrum Jülich (2005) p. 49
  29. Naumov I I, Bellaiche L, Fu H Nature 432 737 (2004)
  30. Санников Д Г, Желудев И С ФТТ 27 1369 (1985)
  31. Tilley D R, Žekš B Solid State Commun. 49 823 (1984)
  32. Tilley D R in Ferroelectric Thin Films: Synthesis and Basic Properties (Ferroelectricity and Related Phenomena, Vol. 10, Eds C Paz de Araujo, J F Scott, G W Taylor) (Amsterdam: Gordon and Breach, 1996) p. 11
  33. Wang C L, Zhong W L, Zhang P L J. Phys. Condens. Matter 4 4743 (1992)
  34. Qu B D Ferroelectrics 152 219 (1994)
  35. Lines M E, Glass A M Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials (Oxford: Clarendon Press, 1977)
  36. de Gennes P G Solid State Commun. 1 132 (1963)
  37. Cottam M G, Tilley D R, Zeks B J. Phys. C 17 1793 (1984)
  38. Glinchuk M D, Morozovska A N J. Phys. Condens. Matter 16 3517 (2004)
  39. Spaldin N A Science 304 1606 (2004)
  40. Fridkin V M J. Phys. Condens. Matter 16 7599 (2004)
  41. Иванов O B, Шпорт Д А, Максимов Е Г ЖЭТФ 144 333 (1998)
  42. Максимов Е Г, Зиненко В И, Замкова Н Г УФН 174 1145 (2004); Maksimov E G, Zinenko V I, Zamkova N G Phys. Usp. 47 1075 (2004)
  43. Ghosez Ph, Rabe K M Appl. Phys. Lett. 76 2767 (2000)
  44. Meyer B, Vanderbilt D Phys. Rev. B 63 205426 (2001)
  45. Junquera J, Ghosez P Nature 422 506 (2003)
  46. Lohse O et al. J. Appl. Phys. 89 2332 (2001)
  47. Tagantsev A K et al. Phys. Rev. B 66 214109 (2002)
  48. Orihara H, Hashimoto S, Ishibashi Y J. Phys. Soc. Jpn. 63 1031 (1994); Hashimoto S, Orihara H, Ishibashi Y J. Phys. Soc. Jpn. 63 1601 (1994)
  49. Vizdrik G et al. Phys. Rev. B 68 094113 (2003)
  50. Гейвандов А Р и др. ЖЭТФ 126 99 (2004)
  51. Fridkin V et al. Ferroelectrics 314 37 (2005)
  52. Ducharme S, Fridkin V, Ievlev A, Verkhovskaya K Appl. Phys. Lett., in press
  53. Ландау Л Д, Халатников И M ДАН СССР 96 469 (1954)
  54. Sorokin A V, Fridkin V M, Ducharme S J. Appl. Phys. 98 044107 (2005)
  55. Kliem H, Tadros-Morgane R J. Physics D 38 1860 (2005)
  56. Гинзбург В Л УФН 169 419 (1999); Ginzburg V L Phys. Usp. 42 353 (1999)
  57. Гинзбург В Л УФН 174 1240 (2004); Ginzburg V L Phys. Usp. 47 1155 (2004)

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение