|
||||||||||||||||||
Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурахФедеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" РАН, Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН, Ленинский просп. 59, Москва, 119333, Российская Федерация В последнее время предпринимается попытка определения критического размера в сегнетоэлектричестве. Этот фундаментальный вопрос в связи с развитием сегнетоэлектрических наноструктур стал актуальным и в прикладном отношении. Показано, что, несмотря на предсказанное теорией существование конечного критического размера, по крайней мере, в сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра-Блоджетт, приготовленных из сополимера винилиденфторида-трифторэтилена P[VDF-TrFE], сегнетоэлектрическая поляризация и ее переключение наблюдаются в одном монослое. Приводится краткий обзор работ по поиску критического размера в перовскитовых сегнетоэлектриках. Показано, что теория Ландау-Гинзбурга предсказывает сколь угодно малый критический размер, если учесть несобственный эффект, связанный с деформациями несоответствия на границе пленка-электрод (’mismatch’ эффект). Сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки могут обладать особенностями в динамике переключения.
|
||||||||||||||||||
|