Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников
М.Р. Трунин
Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
Представлен обзор и критический анализ результатов исследований температурных зависимостей поверхностного импеданса Z(T) = R(T) + iX(T)
и комплексной проводимости (T) = σ’(T)-iσ"(T)
в ab-плоскостях и вдоль с-оси кристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Рассмотрен электродинамический метод извлечения всех компонент тензоров σ(T) и Z(T) из измеряемых в микроволновом
эксперименте величин. Основное внимание уделяется эволюции зависимостей Z(T) и σ(T) в кристалле
YВа2Сu3O7-x при вариациях кислородного допирования в нем. Обсуждаются возможные механизмы
проводимости в рамках моделей нормального, сверхпроводящего и псевдощелевого состояний ВТСП.
|