Представлен обзор и критический анализ результатов исследований температурных зависимостей поверхностного импеданса Z(T) = R(T) + iX(T) и комплексной проводимости (T) = σ’(T)-iσ"(T) в ab-плоскостях и вдоль с-оси кристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Рассмотрен электродинамический метод извлечения всех компонент тензоров σ(T) и Z(T) из измеряемых в микроволновом эксперименте величин. Основное внимание уделяется эволюции зависимостей Z(T) и σ(T) в кристалле YВа₂Сu₃O_7-x при вариациях кислородного допирования в нем. Обсуждаются возможные механизмы проводимости в рамках моделей нормального, сверхпроводящего и псевдощелевого состояний ВТСП.