Выпуски

 / 

2005

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Представлен обзор и критический анализ результатов исследований температурных зависимостей поверхностного импеданса Z(T) = R(T) + iX(T) и комплексной проводимости (T) = σ(T)-iσ"(T) в ab-плоскостях и вдоль с-оси кристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Рассмотрен электродинамический метод извлечения всех компонент тензоров σ(T) и Z(T) из измеряемых в микроволновом эксперименте величин. Основное внимание уделяется эволюции зависимостей Z(T) и σ(T) в кристалле YВа2Сu3O7-x при вариациях кислородного допирования в нем. Обсуждаются возможные механизмы проводимости в рамках моделей нормального, сверхпроводящего и псевдощелевого состояний ВТСП.

Текст pdf (607 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n10ABEH005560
PACS: 74.20.De, 74.25.Dw, 74.25.Fy, 74.25.Nf, 74.72.−h (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200510a.1017
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/10/a/
000235238900001
Цитата: Трунин М Р "Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников" УФН 175 1017–1037 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников
A1 Трунин,М.Р.
PB Успехи физических наук
PY 2005
FD 10 Oct, 2005
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 175
IS 10
SP 1017-1037
DO 10.3367/UFNr.0175.200510a.1017
LK https://ufn.ru/ru/articles/2005/10/a/

English citation: Trunin M R “Conductivity anisotropy and pseudogap in the microwave response of high-Tc superconductorsPhys. Usp. 48 979–998 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n10ABEH005560

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение