Выпуски

 / 

2003

 / 

Декабрь

  

Обзоры актуальных проблем


Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий


НИИ прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете, пр. Курчатова 7, Минск, 220064, Беларусь

Приведен анализ современного состояния исследований процессов и механизмов дефектообразования и трекообразования при облучении материалов быстрыми ионами. Показано, что природа и морфология треков зависят от типа твердых тел, структурного состояния и плотности выделенной энергии в их электронную подсистему. Релаксация сильных электронных возбуждений имеет доминирующее значение в процессе трекообразования. Обсуждаются механизмы формирования прерывистых треков, трековой миграции атомов и трекового каналирования ионов.

Текст pdf (1,2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n12ABEH001286
PACS: 61.80.−x, 61.82.−d, 61.85.+p (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200312b.1287
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/12/b/
000221527200002
Цитата: Комаров Ф Ф "Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий" УФН 173 1287–1318 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Komarov F F “Defect and track formation in solids irradiated by superhigh-energy ionsPhys. Usp. 46 1253–1282 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n12ABEH001286

Список литературы (258) Статьи, ссылающиеся на эту (101) Похожие статьи (20) ↓

  1. Ф.Ф. Комаров «Нано- и микроструктурирование твёрдых тел быстрыми тяжёлыми ионами» УФН 187 465–504 (2017)
  2. И.А. Баранов, Ю.В. Мартыненко и др. «Неупругое распыление твердых тел ионами» УФН 156 477–511 (1988)
  3. А.М. Митерев «Теоретические представления о формировании и эволюции треков заряженных частиц» УФН 172 1131–1164 (2002)
  4. Р.А. Андриевский «Наноструктуры в экстремальных условиях» УФН 184 1017–1032 (2014)
  5. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» УФН 173 813–846 (2003)
  6. В.С. Николаев «Захват и потеря электронов быстрыми ионами в атомных столкновениях» УФН 85 679–720 (1965)
  7. И.Ю. Толстихина, В.П. Шевелько «Столкновительные процессы с участием тяжёлых многоэлектронных ионов при взаимодействии с нейтральными атомами» УФН 183 225–255 (2013)
  8. И.Ю. Толстихина, В.П. Шевелько «Влияние атомных процессов на зарядовые состояния и фракции быстрых тяжёлых ионов при прохождении через газовые, твердотельные и плазменные мишени» УФН 188 267–300 (2018)
  9. В.И. Бойко, А.Н. Валяев, А.Д. Погребняк «Модификация металлических материалов импульсными мощными пучками частиц» УФН 169 1243–1271 (1999)
  10. А.П. Жернов, А.В. Инюшкин «Кинетические коэффициенты в кристаллах с изотопическим беспорядком» УФН 172 573–599 (2002)
  11. В.Е. Захаров, Е.А. Кузнецов «Солитоны и коллапсы: два сценария эволюции нелинейных волновых систем» УФН 182 569–592 (2012)
  12. Р.И. Гарбер, А.И. Федоренко «Фокусировка атомных столкновений в кристаллах» УФН 83 385–432 (1964)
  13. П.Ю. Бабенко, А.Н. Зиновьев, А.П. Шергин «О торможении и рассеянии в веществе атомов с энергиями порядка килоэлектронвольт» УФН 194 1059–1081 (2024)
  14. Л.М. Лямшев «Радиационная акустика» УФН 162 (4) 43–94 (1992)
  15. Г.В. Дедков «Межатомные потенциалы взаимодействия в радиационной физике» УФН 165 919–953 (1995)
  16. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» УФН 170 143–155 (2000)
  17. В.И. Высоцкий, Р.Н. Кузьмин «Каналирование нейтральных частиц и квантов в кристаллах» УФН 162 (9) 1–48 (1992)
  18. В.А. Базылев, Н.К. Жеваго «Каналирование быстрых частиц и связанные с ним явления» УФН 160 (12) 47–90 (1990)
  19. В.М. Агранович, В.В. Кирсанов «Проблемы моделирования радиационных повреждений в кристаллах» УФН 118 3–51 (1976)
  20. М.Л. Тер-Микаелян «Радиационные электромагнитные процессы при высоких энергиях в периодических средах» УФН 171 597–624 (2001)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение