Выпуски

 / 

2001

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Неоднородные зарядовые состояния и фазовое расслоение в манганитах

 а,  б
а Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 117334, Российская Федерация
б Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН, Москва, Российская Федерация

Анализируются механизмы электронного фазового расслоения в оксидных материалах типа манганитов. Рассмотрение проводится в рамках простой модели кондо-решетки с межузельным кулоновским отталкиванием электронов. Эта модель позволяет выявить неустойчивость однородного магнитного или зарядового упорядочения относительно образования капельных структур (магнитных поляронов) в широкой области параметров фазовой диаграммы. Исследуются различные типы и формы магнитных поляронов. Обсуждаются транспортные характеристики и спектр шумов в фазово-расслоенном состоянии.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 64.75.+g, 71.27.+a, 72.10.−d, 75.30.Vn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200106a.0577
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/6/a/
Цитата: Каган М Ю, Кугель К И "Неоднородные зарядовые состояния и фазовое расслоение в манганитах" УФН 171 577–596 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kagan M Yu, Kugel’ K I “Inhomogeneous charge distributions and phase separation in manganitesPhys. Usp. 44 553–570 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n06ABEH000917

Список литературы (66) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (184) Похожие статьи (20)

  1. Jonker G H, van Santen J H Physica 16 337 (1950); Jonker G H Physica 22 707 (1956)
  2. Wollan E O, Koehler W C Phys. Rev. 100 545 (1955)
  3. Jin S et al. Science 264 413 (1994)
  4. Нагаев Э Л УФН 166 833 (1996)
  5. Khomskii D I, Sawatzky G A Solid State Commun. 102 87 (1997)
  6. Ramirez A P J. Phys. Condens. Matter 9 8171 (1997)
  7. Coey J M D, Viret M, von Molnár S Adv. Phys. 48 167 (1999)
  8. Локтев В М, Погорелов Ю Г ФНТ 26 231 (2000)
  9. Emery V J, Kivelson S A, Lin H Q Phys. Rev. Lett. 64 475 (1990)
  10. Zaanen J, Gunnarsson O Phys. Rev. B 40 7391 (1989)
  11. Castellani C, Di Castro C, Grilli M Phys. Rev. Lett. 75 4650 (1995)
  12. Нагаев Э Л УФН 165 529 (1995)
  13. Нагаев Э Л Письма в ЖЭТФ 6 484 (1967); Нагаев Э Л ЖЭТФ 54 228 (1968)
  14. Нагаев Э Л Письма в ЖЭТФ 16 558 (1972); Кашин В А, Нагаев Э Л ЖЭТФ 66 2105 (1974)
  15. Kasuya T, Yanase A, Takeda T Solid State Commun. 8 1543 (1970); Kasuya T, Yanase A, Takeda T Solid State Commun. 8 1551 (1970)
  16. Кривоглаз М А УФН 106 360 (1972); Кривоглаз М А УФН 111 617 (1973)
  17. Мотт Н Ф, Дэвис Э А Электронные процессы в некристаллических веществах 2-е изд. (М.: Мир, 1982)
  18. Булаевский Л Н, Нагаев Э Л, Хомский Д И ЖЭТФ 54 1562 (1968)
  19. Uehara M et al. Nature 399 560 (1999)
  20. Balagurov A M et al. Eur. Phys. J. B 19 215 (2001)
  21. Khomskii D I Physica B 280 325 (2000)
  22. Jirák Z et al. J. Magn. Magn. Mater. 53 153 (1985)
  23. Mori S, Chen C H, Cheong S-W Nature 392 473 (1998)
  24. Millis A J, Littlewood P B, Shraiman B I Phys. Rev. Lett. 74 5144 (1995)
  25. van den Brink J, Khomskii D I Phys. Rev. Lett. 82 1016 (1999); van den Brink J, Khaliullin G, Khomskii D I Phys. Rev. Lett. 83 5118 (1999)
  26. Jackeli G, Perkins N B, Plakida N M Phys. Rev. B 62 372 (2000)
  27. Mutou T, Kontani H Phys. Rev. Lett. 83 3685 (1999)
  28. Zener C Phys. Rev. 82 403 (1951)
  29. Anderson P W, Hasegawa H Phys. Rev. 100 675 (1955)
  30. de Gennes P-G Phys. Rev. 118 141 (1960)
  31. Нагаев Э Л ЖЭТФ 57 1274 (1969)
  32. Нагаев Э Л Физика магнитных полупроводников (М.: Наука, 1979)
  33. Zaanen J, Oles A M, Horsch P Phys. Rev. B 46 5798 (1992)
  34. Kagan M Yu, Khomskii D I, Mostovoy M V Eur. Phys. J. B 12 217 (1999)
  35. Zhang F C, Rice T M Phys. Rev. B 37 3759 (1988)
  36. Sigrist M et al. Phys. Rev. B 70 2960 (1993)
  37. Hubbard J Proc. R. Soc. London A 276 238 (1963)
  38. Verwey E J W Nature 144 327 (1939); Verwey E J W, Haayman P W Physica 8 979 (1941)
  39. Каган Ю, Максимов Л А ЖЭТФ 87 348 (1984); Каган Ю, Максимов Л А ЖЭТФ 88 992 (1985)
  40. Хомский Д И Препринт ФИАН №105 (М.: ФИАН, 1969)
  41. Kagan M Yu, Kugel K I, Khomskii D I ЖЭТФ 120 470 (2001)
  42. Allodi G et al. Phys. Rev. B 56 6036 (1997)
  43. Yakubovskii A et al. Phys. Rev. B 62 5337 (2000)
  44. Hennion M et al. Phys. Rev. Lett. 81 1957 (1998)
  45. Babushkina N A et al. Phys. Rev. B 59 6994 (1999)
  46. Волошин И Ф и др. Письма в ЖЭТФ 71 157 (2000)
  47. Moritomo Y et al. Phys. Rev. B 60 9220 (1999)
  48. Yunoki S, Hotta T, Dagotto E Phys. Rev. Lett. 84 3714 (2000)
  49. Mukhin A A et al. Europhys. Lett. 49 514 (2000)
  50. Горьков Л П УФН 168 665 (1998); Горьков Л П, Кресин В З Письма в ЖЭТФ 67 985 (1998)
  51. Fäth M et al. Science 285 1540 (1999)
  52. Balents L, Varma C M Phys. Rev. Lett. 84 1264 (2000)
  53. Barzykin V, Gor'kov L P Phys. Rev. Lett. 84 2207 (2000)
  54. Нагаев Э Л ЖЭТФ 114 2225 (1998); Nagaev E L Phys. Rev. B 60 455 (1999)
  55. Kagan M Yu, Mostovoy M V, Khomskii D I Physica B 284-288 1209 (2000)
  56. Rakhmanov A L, Kugel K I, Blanter Ya M, Kagan M Yu Phys. Rev. B 63 174424 (2001)
  57. Averin D V, Likharev K K Mesoscopic Phenomena in Solids (Eds B L Altshuler, P A Lee, R A Webb) (Amsterdam: Elsevier, 1992)
  58. Beenakker C I M, Bootsma S K Frontiers in Nanoscale Science of Micron/Submicron Devices (Eds A-P Jauho, E V Buzaneva) (Dordrecht: Kluwer Acad. Publ., 1996)
  59. Шкловский Б И, Эфрос А Л Электронные свойства легированных полупроводников (М.: Наука, 1979)
  60. Dutta P, Horn P M Rev. Mod. Phys. 53 497 (1981)
  61. Kogan Sh Electronic Noise and Fluctuations in Solids (Cambridge: Cambridge Univ. Press, 1996)
  62. Podzorov V et al. Phys. Rev. B 61 R3784 (2000)
  63. Tomsovic S (Ed.) Tunneling in Complex Systems (Singapore: World Scientific, 1998)
  64. Caldeira A O, Leggett A J Ann. Physics 149 374 (1983)
  65. Vladár K, Zawadowski A Phys. Rev. B 28 1564 (1983)
  66. Kagan Yu, Prokof'ev N V Quantum Tunneling in Condensed Matter (Eds Yu Kagan, A J Leggett) (Amsterdam: Elsevier, 1992) p. 37

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение