|
||||||||||||||||||
Процессы самоорганизации дислокаций и пластичность кристалловФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация Обсуждается проблема теоретического описания эволюции дислокационного ансамбля в пластически деформируемом кристалле с учетом его реальной структуры. Формулируются кинетические уравнения для плотности дислокаций, включающие в себя процессы генерации дислокаций из источников, иммобилизации, размножения, аннигиляции и диффузии дислокаций. С помощью уравнений проводится количественный анализ первых трех стадий кривых деформационного упрочнения кристаллов. Рассматриваются процессы самоорганизации дислокаций в дислокационном ансамбле, вызывающие локализацию деформации и образование в кристалле различных неоднородных дислокационных структур. Детально излагаются механизмы образования линий и полос скольжения, бездефектных (аннигиляционных) каналов при пластической деформации закаленных или облученных кристаллов, механизм образования ячеистых дислокационных структур. Теоретические результаты сопоставляются с экспериментом.
|
||||||||||||||||||
|