Выпуски

 / 

1998

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Поверхностный импеданс монокристаллов ВТСП в микроволновом диапазоне


Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Приведены результаты современных исследований действительной Rs и мнимой Xs частей микроволнового поверхностного импеданса Zs = Rs+ iXs высококачественных монокристаллов ВТСП: YBa2Cu3O6,95, Ba0,6K0,4BiO3, Tl2Ba2CaCu2O8-δ, Tl2Ba2CuO6+δ и Bi2Sr2CaCu2O8. Описана методика прецизионных измерений температурных зависимостей Rs(T) и Xs(T) в интервале 4,2 leqslant T leqslant 150 K. Сформулированы общие для монокристаллов ВТСП закономерности поведения поверхностного импеданса и комплексной проводимости и проанализированы особенности температурных зависимостей этих величин. Экспериментальные данные интерпретированы в рамках обобщенной двухжидкостной модели, учитывающей процессы рассеяния квазичастиц и характерное изменение плотности сверхпроводящих носителей при низких и близких к критической температурах. Рассмотрены пути развития микроскопической теории высокочастотного отклика ВТСП.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 74.20.−z, 74.72.−h, 74.90.+n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199809b.0931
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/9/b/
Цитата: Трунин М Р "Поверхностный импеданс монокристаллов ВТСП в микроволновом диапазоне" УФН 168 931–952 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Trunin M R “Surface impedance of HTSC single crystals in the microwave bandPhys. Usp. 41 843–863 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n09ABEH000438

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение