Решеточные и магнитные эффекты в легированных манганитах

Показано, что механизм «двойного обмена» и неустойчивость Яна-Теллера позволяют объяснить низкотемпературные свойства слабо легированных соединений LaMnO₃ в рамках модели зонного диэлектрика. Анализ процесса легирования La_1-xA_xMnO₃ двухвалентными атомами A приводит к предположению, что дырки локализуются кулоновскими силами вблизи центров легирования. Поэтому физика этих соединений оказывается связанной с формированием проводящих кластеров вдоль таких заряженных центров. Экспериментальные результаты рассмотрены на основе теории перколяции. Обсуждается режим сосуществования двух фаз и возможность появления большой ферми-поверхности при высоких концентрациях. Некоторые из полученных результатов могут иметь отношение также к проблеме легирования в купратах.

Текст pdf (675 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n06ABEH000409

PACS: 64.60.Ak, 71.70.Gm, 71.70.−d, 75.50.Pp (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199806g.0665
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/6/g/
Web of Science

000075347000007
Цитата: Горьков Л П "Решеточные и магнитные эффекты в легированных манганитах" УФН 168 665–671 (1998)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gor’kov L P “Lattice and magnetic effects in doped manganites” Phys. Usp. 41 589–594 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n06ABEH000409

Список литературы (30) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (101) Похожие статьи (7)

Горьков Л П, Кресин В З Письма в ЖЭТФ (1998), в печати
Khomskii D I, Sawatzky G A Solid State Commun. 102 87 (1997)
Zener C Phys. Rev. 82 403 (1951)
Anderson P W, Hasegawa H Phys. Rev. 100 675 (1955)
Zhao G et al. Nature 381 676 (1996)
Hwang H Y et al. Phys. Rev. Lett. 75 914 (1995)
Кугель К И, Хомский Д И УФН 136 621 (1982); Kugel' K I, Khomskii D I Sov. Phys. Usp. 25 231 (1982)
Englman R The John-Teller Effect in Molecules and Crystals (London, New York: Wiley-Interscience, 1972)
Ландау Л Д, Лифшиц Е М Квантовая механика (М.: Наука, 1994) с. 407
Kanamori J J. Appl. Phys. Suppl. 31 14S (1960)
Goodenough J Progress in Solid State Chemistry Vol. 5 (Ed. H Reiss) (New York: Pergamon, 1971) p. 145; Anderson P W Magnetism Vol. 1 (Eds G T Rado, H Suhl) (New York: Academic Press, 1963) p. 75
Millis A J, Shraiman B I, Mueller R Phys. Rev. Lett. 77 175 (1996)
Wollan E O, Koehler W C Phys. Rev. 100 545 (1955)
Rashba E Excitons (Modern Problems in Condensed Matter Sciences) Vol. 2 (Eds E I Rashba, M D Sturge) (Amsterdam, New York: North-Holland Pub. Co., Elsevier Science Pub. Co., 1982) p. 473; Tanino H, Kobayashi K J. Phys. Soc. Jpn. 52 1446 (1983)
Горьков Л П, Сокол А В Письма в ЖЭТФ 46 333 (1987); Gor'kov L P, Sokol A V JETP Lett. 46 420 (1987)
Emery V J, Kivelson S A, Lin H Q Phys. Rev. Lett. 64 475 (1990)
Yunoki S et al. Phys. Rev. Lett. 80 845 (1998)
Urushibara A et al. Phys. Rev. B 51 14103 (1995)
de Gennes P-G Phys. Rev. 118 141 (1960)
Shklovskii B I, Efros A L Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer Series in Solid State Sciences) Vol. 45 (Berlin: Springer-Verlag, 1984); Deutcher G Chance and Matter (Eds J Soulettie, J Vannimenus, R Stora) (Amsterdam, New York: Elsevier Pub. Co.; North-Holland, 1987) p. 1; Hertz J Phys. Scripta 10 1 (1985)
Lofland S E et al. Phys. Rev. B 56 13705 (1997)
Allodi G et al. Phys. Rev. B 56 6036 (1997)
Sharma R P et al. Phys. Rev. B 54 10014 (1996)
Louca D et al. Phys. Rev. B 56 R8475 (1997)
Shender E F, Shklovskii B I Phys. Lett. A 55 77 (1975)
Varma C M Phys. Rev. B 54 7328 (1996)
Park S H et al. Phys. Rev. B 56 67 (1997)
Fisher M E, Langer J S Phys. Rev. Lett. 20 665 (1968)
Kirkpatrick S Rev. Mod. Phys. 45 574 (1973)
Vasiliu-Doloc L et al. J. Appl. Phys. (1998), to be published