Выпуски

 / 

1998

 / 

Май

  

Конференции и симпозиумы


Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях

, , , , ,
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Cессия РАН 29.10.1997 г.

Текст pdf (640 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n05ABEH000398
PACS: 73.20.Dx, 73.28.An
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199805g.0577
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/5/g/
000075061000007
Цитата: Кашкаров П К, Каменев Б В, Константинова Е А, Ефимова А И, Павликов А В, Тимошенко В Ю "Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях" УФН 168 577–582 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kashkarov P K, Kamenev B V, Konstantinova E A, Efimova A I, Pavlikov A V, Timoshenko V Yu “Dynamics of nonequilibrium charge carriers in silicon quantum wiresPhys. Usp. 41 511–515 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n05ABEH000398

Список литературы (11) Статьи, ссылающиеся на эту (15) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.А. Волков, Э.Е. Тахтамиров «Динамика электрона с пространственно-зависящей массой и метод эффективной массы для полупроводниковых гетероструктур» 167 1123–1128 (1997)
  2. В.С. Днепровский «Нелинейные оптические свойства полупроводниковых квантовых проводов и точек» 166 432–434 (1996)
  3. М. Паско, Ж. Монтамбо «Интерференционные эффекты в мезоскопических неупорядоченных кольцах и проволоках» 168 196–200 (1998)
  4. С.Н. Артеменко, А.Ф. Волков, С.В. Зайцев-Зотов «Квазиодномерные проводники с волной зарядовой плотности» 166 434–439 (1996)
  5. В.Д. Кулаковский «Корреляционные эффекты в электронно-дырочной магнитоплазме в квантовых ямах» 166 900–900 (1996)
  6. В.И. Белявский, Ю.В. Копаев, Н.В. Корняков «Управляемая модуляция энергии связи примесных состояний в системе квантовых ям» 166 447–448 (1996)
  7. В.Д. Кулаковский, М. Бауэр и др. «Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках» 168 123–127 (1998)
  8. Л.В. Бутов «Аномальный транспорт и люминесценция непрямых экситонов в двойных квантовых ямах» 168 127–132 (1998)
  9. В.Б. Тимофеев, А.В. Ларионов и др. «Междуямная излучательная рекомбинация двумерного электронного газа в двойных квантовых ямах с напряжением смещения» 168 117–120 (1998)
  10. Г. Финкельштейн, Х. Штрикман, И. Бар-Джозеф «Процессы отдачи в двумерном электронном газе в GaAs/AlGaAs квантовых ямах в сильных магнитных полях» 168 121–123 (1998)
  11. М.Е. Гершензон, Ю.Б. Хавин, А.Л. Богданов «Электроны в квазиодномерных проводниках: от высокотемпературной диффузии к низкотемпературной прыжковой проводимости» 168 200–203 (1998)
  12. Л. Горелик, С. Кулинич и др. «Накачка энергии в мезоскопическое кольцо. Точно решаемая модель» 168 192–196 (1998)
  13. В. Хансен, Д. Шмерек, К. Штайнебах «Основные состояния в одномерной электронной системе» 168 188–192 (1998)
  14. Ю. Орег, А.М. Финкельштейн «Фазовый портрет в задаче о рассеянии на примеси в модели Томонага-Латтинжера» 168 184–188 (1998)
  15. Х.С. ван дер Зант, О.С. Мантель и др. «Электрический транспорт в микроструктурах с волнами зарядовой плотности» 168 179–184 (1998)
  16. Т. Инн, А. Торнтон и др. «InAs квантовая точка в роли квантового микроскопа для исследования двумерного электронного газа» 168 132–134 (1998)
  17. В.В. Капаев, Ю.В. Копаев, И.В. Токатлы «Зависимость от импульса размерности электронных состояний в гетероструктурах» 167 562–566 (1997)
  18. В.Н. Мурзин, Ю.А. Митягин «Резонансное туннелирование, электрические и оптические явления в длиннопериодных полупроводниковых сверхрешетках» 169 464–468 (1999)
  19. Е.С. Солдатов, А.С. Трифонов и др. «Кластерные туннельные структуры и коррелированное туннелирование электронов в них» 166 903–903 (1996)
  20. В.П. Кочерешко, Р.А. Сурис, Д.Г. Яковлев «Эффекты экситон-электронного вращения в структурах с квантовыми ямами, содержащими двумерный электронный газ» 170 335–338 (2000)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение