Cессия РАН 29.10.1997 г.
Воспроизведение материалов из журнала УФН в любой форме требует письменного разрешения редакции УФН.
Преподаватели, студенты и исследователи в индивидуальном порядке могут использовать материалы, находящиеся на сайте УФН, для некоммерческого использования в своей преподавательской или исследовательской деятельности.
Прочесть полный текст пользовательского соглашения.
RT Journal T1 Dynamics of nonequilibrium charge carriers in silicon quantum wires A1 Kashkarov,P.K. A1 Kamenev,B.V. A1 Konstantinova,E.A. A1 Efimova,A.I. A1 Pavlikov,A.V. A1 Timoshenko,V.Yu. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 1998 FD 10 May, 1998 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 168 IS 5 SP 577-582 DO 10.3367/UFNr.0168.199805g.0577 LK https://ufn.ru/ru/articles/1998/5/g/
English citation: Kashkarov P K, Kamenev B V, Konstantinova E A, Efimova A I, Pavlikov A V, Timoshenko V Yu “Dynamics of nonequilibrium charge carriers in silicon quantum wires” Phys. Usp. 41 511–515 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n05ABEH000398