Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах

В.А. Крупенин^а, С.В. Лотхов^а, Ю.А. Пашкин^б, Д.Е. Преснов^б
^аМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^бФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Текст pdf (154 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n05ABEH001569

PACS: 73.40.Gk, 73.40.Rw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199705o.0566
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/5/o/
Web of Science

A1997XJ11200013
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Пашкин Ю А, Преснов Д Е "Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах" УФН 167 566–568 (1997)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах
A1 Крупенин,В.А.
A1 Лотхов,С.В.
A1 Пашкин,Ю.А.
A1 Преснов,Д.Е.
PB Успехи физических наук
PY 1997
FD 10 May, 1997
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 167
IS 5
SP 566-568
DO 10.3367/UFNr.0167.199705o.0566
LK https://ufn.ru/ru/articles/1997/5/o/

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Pashkin Yu A, Presnov D E “An experimental study of charge effects in ultrasmall tunnel junctions” Phys. Usp. 40 542–544 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n05ABEH001569