Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах

В.А. Крупенин^а, С.В. Лотхов^а, Ю.А. Пашкин^б, Д.Е. Преснов^б
^аМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^бФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Текст pdf (154 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n05ABEH001569

PACS: 73.40.Gk, 73.40.Rw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199705o.0566
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/5/o/
Web of Science

A1997XJ11200013
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Пашкин Ю А, Преснов Д Е "Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах" УФН 167 566–568 (1997)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах
AU Крупенин В А
FAU Крупенин ВА
AU Лотхов С В
FAU Лотхов СВ
AU Пашкин Ю А
FAU Пашкин ЮА
AU Преснов Д Е
FAU Преснов ДЕ
DP 10 May, 1997
TA Усп. физ. наук
VI 167
IP 5
PG 566-568
RX 10.3367/UFNr.0167.199705o.0566
URL https://ufn.ru/ru/articles/1997/5/o/
SO Усп. физ. наук 1997 May 10;167(5):566-568

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Pashkin Yu A, Presnov D E “An experimental study of charge effects in ultrasmall tunnel junctions” Phys. Usp. 40 542–544 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n05ABEH001569