Выпуски

 / 

1995

 / 

Февраль

  

Методические заметки


Эффект де Гааза-ван Альфена — пример электронного топологического перехода первого рода

 а,  б,  в
а Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет), Ленинский просп. 4, Москва, 117936, Российская Федерация
б Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 117334, Российская Федерация
в Институт радиотехники и электроники РАН, ул. Моховая 11, корп. 7, Москва, 125009, Российская Федерация

Предлагается описание эффекта де Гааза-ван Альфена и поведения сверхрешетки в квантующем магнитном поле в терминах электронного топологического перехода. Показано, что вблизи перехода нарушается условие термодинамической устойчивости, что «ликвидирует» переход 1½ рода и вызывает фазовый переход первого рода (по магнитному полю). Последний выражается в образовании кондоновских диамагнитных доменов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 05.50.+q, 05.70.Fh, 75.10.Jm, 75.90.+w (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199502f.0213
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/2/f/
Цитата: Блантер Я М, Каганов М И, Посвянский Д В "Эффект де Гааза-ван Альфена — пример электронного топологического перехода первого рода" УФН 165 213–220 (1995)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Blanter Ya M, Kaganov M I, Posvyanskii D V “De Haas-van Alphen effect as a first-order electronic topological transitionPhys. Usp. 38 203–209 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n02ABEH000072

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение