Эффект де Гааза–ван Альфена — пример электронного топологического перехода первого рода

Я.М. Блантер^а, М.И. Каганов^б, Д.В. Посвянский^в
^аМосковский государственный институт стали и сплавов (технологический университет), Ленинский просп. 4, Москва, 117936, Российская Федерация
^бИнститут физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 117334, Российская Федерация
^вИнститут радиотехники и электроники РАН, ул. Моховая 11, корп. 7, Москва, 125009, Российская Федерация

Предлагается описание эффекта де Гааза-ван Альфена и поведения сверхрешетки в квантующем магнитном поле в терминах электронного топологического перехода. Показано, что вблизи перехода нарушается условие термодинамической устойчивости, что «ликвидирует» переход 1½ рода и вызывает фазовый переход первого рода (по магнитному полю). Последний выражается в образовании кондоновских диамагнитных доменов.

Текст pdf (289 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n02ABEH000072

PACS: 05.50.+q, 05.70.Fh, 75.10.Jm, 75.90.+w (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199502f.0213
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/2/f/
Web of Science

A1995QR33900006
Цитата: Блантер Я М, Каганов М И, Посвянский Д В "Эффект де Гааза-ван Альфена — пример электронного топологического перехода первого рода" УФН 165 213–220 (1995)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Эффект де Гааза–ван Альфена — пример электронного топологического перехода первого рода
A1 Блантер,Я.М.
A1 Каганов,М.И.
A1 Посвянский,Д.В.
PB Успехи физических наук
PY 1995
FD 10 Feb, 1995
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 165
IS 2
SP 213-220
DO 10.3367/UFNr.0165.199502f.0213
LK https://ufn.ru/ru/articles/1995/2/f/

English citation: Blanter Ya M, Kaganov M I, Posvyanskii D V “De Haas-van Alphen effect as a first-order electronic topological transition” Phys. Usp. 38 203–209 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n02ABEH000072