Выпуски

 / 

1993

 / 

Сентябрь

  

Из текущей литературы


Релаксация спина мюона в кристаллах с дефектами

,
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, просп. Вернадского, 78, Москва, 117454, Российская Федерация

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение. 2. Релаксация спина мюона в чистом кристалле. 2.1. Механизм диффузии. 2.2. Скорость релаксации. 3. Взаимодействие мюона с точечными дефектами. 4. Релаксация спина мюона в кристалле с ловушками. 4.1. Диффузия мюона. 4.2. Релаксация спина мюона. 5. Анализ экспериментальных данных. 5.1. Ниобий. 5.2. Ванадий. 5.3. Алюминий. 5.4. Медь. 5.5. Тантал. 5.6. Висмут. 6. Заключение. Список литературы

Текст pdf (412 Кб)
PACS: 76.75.+i, 61.72.Ji (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0163.199309c.0075
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1993/9/c/
Цитата: Морозов А И, Сигов А С "Релаксация спина мюона в кристаллах с дефектами" УФН 163 (9) 75–88 (1993)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Релаксация спина мюона в кристаллах с дефектами
%A А. И. Морозов
%A А. С. Сигов
%I Успехи физических наук
%D 1993
%J Усп. физ. наук
%V 163
%N 9
%P 75-88
%U https://ufn.ru/ru/articles/1993/9/c/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0163.199309c.0075

English citation: Morozov A I, Sigov A S “Muon spin relaxation in crystals with defectsPhys. Usp. 36 (9) 828–840 (1993); DOI: 10.1070/PU1993v036n09ABEH002308

© Успехи физических наук, 1918–2022
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение