Обзор теоретических представлений о комбинационном рассеянии света (КРС) свободными носителями тока в полупроводниках и металлах. В качестве источников рассеивающих свет флуктуаций обсуждаются различные элементарные возбуждения: одночастичные флуктуации зарядовой плотности и плазмоны, флуктуации спиновой плотности, флуктуации плотности электронной энергии и импульса. Эти элементарные возбуждения являются общими для различных твердых тел: металлов, полуметаллов, полупроводников, сверхпроводников. В качестве адекватного математического аппарата, отражающего единую природу спектров КРС этих элементарных возбуждений в различных твердых телах, предлагается макроскопический подход к описанию их релаксации. В этом подходе различаются два механизма релаксации: диффузионный механизм, при котором релаксация идет за счет дидрфузионных потоков различной природы, и механизм Мандельштама—Леонтовича, при котором имеет место адиабатическая релаксация рассеивающих свет флуктуаций. В многодолинных полупроводниках эти механизмы сосуществуют вместе, давая аддитивный вклад в обратное время релаксации флуктуаций; в однодолинных полупроводниках, металлах и сверхпроводниках реализуется один из этих механизмов в зависимости от деталей электронной зонной структуры. При этом определяющая сечение КРС корреляционная функция удовлетворяет тому самому кинетическому или диффузионному уравнению, что и сама флуктуирующая величина. В качестве технических применений указана возможность бесконтактного определения параметров электронного спектра полупроводников, металлов, полупроводниковых сверхрешеток и сверхпроводников. Табл. 6. Ил. 28. Библиогр. ссылок 119 (120 назв.)

TY JOUR
TI Рассеяние света флуктуациями электронной плотности в многодолинных полупроводниках и металлах
AU Байрамов, Б. Х.
AU Войтенко, В. А.
AU Ипатова, И. П.
PB Успехи физических наук
PY 1993
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 163
IS 5
SP 67-114
UR https://ufn.ru/ru/articles/1993/5/d/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0163.199305d.0067