В обзоре рассмотрено современное состояние теории и экспериментов в области взаимодействия релятивистских электронов, позитронов и квантов различных энергий с кристаллами, когда важную роль играет эффект каналирования частиц. При относительно низких энергиях основное внимание уделено эффектам уширения спектральных линий излучения при переходах между уровнями поперечной энергии заряженных частиц в усредненном поле осей или плоскостей кристалла. Рассмотрение проблемы проведено на основе теории, учитывающей отклонения истинного потенциала кристалла от усредненного потенциала осей или плоскостей. В области средних энергий (≤10 ГэВ) главную тему обзора составляет устойчивость каналирования, которая сводится к существованию интегралов движения в усредненных потенциалах. Эта проблема обсуждается в связи с эффективностью конверсии энергии заряженных частиц в энергию направленного излучения. В области высоких (≥10 ГэВ) энергий в обзоре проводится анализ различных подходов в теории излучения и образования электронно-позитронных пар фотонами в поле осей и плоскостей кристалла. Особое место в обзоре занимает обсуждение возможности каналирования квантов и нейтронов в сверхрешетках. Показаны сходства и существенные различия этого эффекта и эффекта каналирования в кристаллах заряженных частиц относительно низких энергий. Табл. 12. Ил. 22. Библиогр. ссылок 147 (164 назв.).